[發(fā)明專利]存儲(chǔ)單元部件陣列有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580049869.8 | 申請(qǐng)日： | 2015-07-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106688097B | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 寺田晴彥;北川真 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 索尼半導(dǎo)體解決方案公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/10 | 分類號(hào)： | H01L27/10;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/28;H01L29/82;H01L43/08;H01L45/00;H01L49/00;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 馬景輝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲(chǔ) 單元 部件 陣列 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
- 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)管理裝置及方法
- 一種存儲(chǔ)方法、服務(wù)器及存儲(chǔ)控制器
- 一種基于存儲(chǔ)系統(tǒng)的控制方法及裝置
- 一種信息的存儲(chǔ)控制方法
- 一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及裝置
- 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)控制方法及裝置
- 存儲(chǔ)設(shè)備、存儲(chǔ)系統(tǒng)及存儲(chǔ)方法
- 物料存儲(chǔ)方法及系統(tǒng)
- 基于雙芯智能電表的數(shù)據(jù)分類存儲(chǔ)方法和裝置
