[發明專利]光電子半導體組件和用于制造光電子半導體組件的方法

有效

• 申請號: 201580049868.3
• 申請日: 2015-10-26
• 公開（公告）號: CN107078131B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 托馬斯·施瓦茨;弗蘭克·辛格
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;李建航

光電子半導體組件(1)包括具有載體上側(23)和載體下側(24)的載體(2)。多個發射光的半導體芯片(3)安置在載體上側(23)上。至少兩個電接觸面(4)處于載體下側(24)上。載體(2)具有金屬芯(25)，其中金屬芯(25)共計占載體(2)厚度的至少60％并且對載體(2)的機械強度的貢獻達至少70％。金屬芯(25)至少部分地直接借助陶瓷層(26)覆層，所述陶瓷層的厚度為最高100μm。陶瓷層(26)局部地直接借助金屬層(27)覆層。半導體芯片(3)經由金屬層(27)與接觸面(4)電連接。

技術領域

提出一種光電子半導體組件。此外，提出一種用于制造這種光電子半導體組件的方法。

背景技術

在參考文獻US 2014/0293554 A1中提出一種具有電絕緣陶瓷覆層的金屬載體。

發明內容

待實現的目的在于：提出一種光電子半導體組件，所述光電子半導體組件朝外部的載體具有小的熱阻。

此外，該目的通過本發明的光電子半導體組件和方法實現。所述光電子半導體組件具有：載體，所述載體具有載體上側和與所述載體上側相對置的載體下側；多個發射光的半導體芯片，所述半導體芯片安置在所述載體上側上；和在所述載體下側上的、用于外部電接觸所述半導體組件的至少兩個電接觸面，其中所述載體具有金屬芯并且所述金屬芯共計占所述載體厚度的至少60％并且對所述載體的機械強度的貢獻達至少70％，所述金屬芯至少部分地直接以陶瓷層覆層，所述陶瓷層的厚度為最高100μm，所述陶瓷層局部地直接借助金屬層覆層，所述半導體芯片經由所述金屬層與所述接觸面電連接，所述載體由多個載體部件形成，每個載體部件的所述陶瓷層形成圍繞所屬的所述金屬芯的唯一的、連貫的且閉合的層，所述載體上側分別比所屬的所述載體下側具有更大的面積，所述載體部件經由至少一個灌封體彼此機械固定地連接，并且所述灌封體連同所述載體部件為所述半導體組件的用于機械承載的部件，使得全部載體下側與所述灌封體齊平，發射光的所述半導體芯片串聯地電連接，并且在所述載體上側上的所述金屬層結構化成印制導線和電連接面，所述半導體芯片處于所述載體上側上，并且所述電連接面與所屬的所述載體下側電絕緣，使得所述載體部件的所述載體下側無電位，并且完全由所述金屬層覆蓋，其中在所述載體部件上存在發射光的所述半導體芯片。優選的改進方案是下文的主題。

根據至少一個實施方式，光電子半導體組件包括載體。載體具有載體上側和與該載體上側相對置的載體下側。載體上側和載體下側優選是載體的主側。載體上側和/或載體下側能夠平面地且平坦地構成?？尚械氖牵狠d體由多個載體部件組成。替選于此，載體能夠一件式地構成。

根據至少一個實施方式，半導體組件包括一個或多個發射光的半導體芯片。發射光能夠表示：半導體芯片射出具有至少300nm或400nm或430nm和/或最高950nm或680nm或550nm或495nm的最大強度的波長的輻射。尤其地，發射光的半導體芯片是發射藍光的發光二極管。

可選地可行的是：半導體組件具有附加的半導體芯片，所述附加的半導體芯片不設置用于產生輻射。這種半導體芯片例如是抗靜電放電損害的保護二極管或者也是尋址芯片或控制芯片。下面，僅詳細考慮發射光的半導體芯片并且術語半導體芯片在下面相應地表示發射光的半導體芯片。

根據至少一個實施方式，半導體芯片施加在載體上側上。例如焊接或尤其導電地粘貼半導體芯片。

根據至少一個實施方式，半導體組件具有在載體下側上的兩個或多于兩個的電接觸面。電接觸面不直接彼此電連接。例如接觸面中的一個構建為陽極接觸部并且接觸面中的另一個構建為陰極接觸部。半導體組件經由電接觸面能從外部進行電接觸，例如能以電學的方式并且優選也同時以機械的方式安置在電路板上。

根據至少一個實施方式，全部電接觸面處于載體下側上。這能夠表示：光電子半導體組件是可表面安裝的，所述光電子半導體組件因此是SMT組件。