[發(fā)明專利]處理設(shè)備和分離裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580049824.0
• 申請日: 2015-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN106715779A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西蒙·保羅·威爾斯;史蒂文·馬龍·羅伯茨
• 申請（專利權(quán)）人: 塞羅斯有限公司
• 主分類號(hào): D06F35/00
• 分類號(hào): D06F35/00;D06F23/02
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所31283
• 代理人: 薛琦,孫靜

1.一種借助大量固體顆粒處理一個(gè)或多個(gè)基材的設(shè)備，包括：

一旋轉(zhuǎn)安裝的滾筒，設(shè)置為在所述一個(gè)或多個(gè)基材的處理期間，容納所述大量固體顆粒和所述一個(gè)或多個(gè)基材；

一收集空間，用于收集離開所述滾筒的所述大量固體顆粒；

一循環(huán)通道，用于將所述大量固體顆粒從所述收集空間傳遞至所述滾筒，所述循環(huán)通道具有一下部，在所述下部內(nèi)所述大量固體顆粒沿著一下流道運(yùn)動(dòng)；

一分離裝置，設(shè)置在所述收集通道的所述下部內(nèi)，用于截取和/或捕獲一個(gè)或多個(gè)外物，同時(shí)允許所述大量固體顆粒沿著所述循環(huán)通道流動(dòng)，所述分離裝置包括：

一傾斜表面和一傳送流道以用于所述固體顆粒，所述傳送流道允許所述大量固體顆粒在所述分離裝置的一上側(cè)和所述分離裝置外部的所述循環(huán)通道的一部分之間流動(dòng)，

其中所述傳送流道包括一封腔，所述封腔從一入口開口延伸至一出口開口，并受限于所述傾斜表面的一部分和至少一封腔壁

且其中在所述入口開口和所述出口開口之間的所述封腔內(nèi)，沒有長于一預(yù)定長度的直線可以在不與所述至少一封腔壁或傾斜表面相交的情況下延伸，該預(yù)定長度小于被所述分離裝置截取或捕獲的最小外物的一最大尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述傳送流道允許所述大量固體顆粒在所述分離裝置的一上側(cè)和一下側(cè)之間流動(dòng)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中，所述或每個(gè)傳送流道設(shè)置在或靠近所述傾斜表面的一下邊緣部。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的設(shè)備，所述設(shè)備包括多個(gè)所述傳送流道。

5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，所述設(shè)備包括至少一列所述傳送流道。

6.如任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中，所述封腔包括相對的側(cè)壁，并優(yōu)選由相對的側(cè)壁界定，所述相對的側(cè)壁直立于所述傾斜表面并且具有遠(yuǎn)離所述傾斜表面的邊緣，并且一密封壁在所述側(cè)壁的各邊緣之間延伸。

7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，所述相對的側(cè)壁通過小于所述預(yù)定長度的一距離間隔開來。

8.如權(quán)利要求6或7引用權(quán)利要求4或5時(shí)所述的設(shè)備，所述設(shè)備包括在多個(gè)所述側(cè)壁的各邊緣之間延伸的一常規(guī)密封壁。

9.如權(quán)利要求6、7或8所述的設(shè)備，其中，所述入口和出口開口由所述傾斜表面、所述側(cè)壁的各邊緣和所述密封壁界定。

10.如權(quán)利要求6、7、8或9所述的設(shè)備，其中，每個(gè)側(cè)壁相對于所述傾斜表面的下邊緣橫向向外延伸。

11.如權(quán)利要求6至10任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述入口開口設(shè)置在所述傾斜表面的一上側(cè)，所述出口開口設(shè)置在所述傾斜表面的一下側(cè)。

12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述入口開口由所述傾斜表面的一上側(cè)和所述側(cè)壁的各邊緣以及所述密封壁所限定，所述出口開口由所述傾斜表面的一下側(cè)和所述側(cè)壁的相應(yīng)邊緣以及所述密封壁所限定。

13.如權(quán)利要求6至12任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述密封壁限定了位于所述入口開口和所述出口開口之間的所述傳送流道的一彎曲內(nèi)表面。

14.如權(quán)利要求6至13任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，各所述側(cè)壁基本上為平面狀。

15.如任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中，所述傳送流道圍繞所述傾斜表面的下邊緣延伸。

16.如述權(quán)利要求6或權(quán)利要求7至15任一項(xiàng)引用權(quán)利要求6時(shí)所述的設(shè)備，所述設(shè)備包括一顆粒引導(dǎo)元件，所述顆粒引導(dǎo)元件與所述密封壁一體，其中所述顆粒引導(dǎo)元件設(shè)置成促進(jìn)固體顆粒朝向所述傳送流道的入口開口運(yùn)動(dòng)。

17.如權(quán)利要求6、7、8或9所述的設(shè)備，其中，各所述側(cè)壁為非平面狀并且從所述傾斜表面向上延伸至各頂邊緣，所述密封壁在位于所述各頂邊緣之間的所述傾斜表面的上方延伸。

18.如權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述入口開口由所述傾斜表面的一上側(cè)、所述密封壁的一下側(cè)以及所述側(cè)壁的各上游邊緣所限定，所述出口開口由所述傾斜表面的一上側(cè)、所述密封壁的一下側(cè)以及所述側(cè)壁的各下游邊緣所限定。