[發(fā)明專利]傳達方向選擇性光衰減的設備和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580049799.6
• 申請日: 2015-09-10
• 公開（公告）號: CN107111236B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設計）人: V.德米特里耶夫
• 申請（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMS有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

一種傳達方向選擇性光衰減的方法、設備。一種向光掩模傳達方向選擇性光衰減的方法可以包含對不同入射方向的光線分配不同衰減等級。所述方法還可以包括計算遮蔽元件陣列，以取決于光線的入射方向，用所分配的不同衰減等級來衰減光線。所述方法還可以包括在光掩模的基板內(nèi)雕刻遮蔽元件陣列。

技術(shù)領域

本發(fā)明總體上涉及一種用于光刻工藝的精細光控制。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于制造方向選擇性光衰減器的設備和方法及其方向選擇性光衰減器。關于向光掩模傳達方向選擇性光衰減描述了本發(fā)明的實施例。

背景技術(shù)

隨著光刻技術(shù)的發(fā)展，基板的光致抗蝕劑層上寫入的圖案的特征變得越來越小。

所用的輻照的波長以及縮小光學系統(tǒng)從照明的掩模捕捉足夠衍射級的能力(受所用的光學透鏡的數(shù)值孔徑影響)限制在光刻工藝中將小的細節(jié)的清楚且精細的圖案投射到晶片上的能力。

臨界尺寸(CD)相對于它們的期望值的變化，即，所制造的晶片上的特征尺寸的變化，可能損害工藝窗口和產(chǎn)量。

引入了各種技術(shù)以克服CD的變化。例如，優(yōu)化引導至光掩模上的輻照的曝光劑量，以使產(chǎn)生在晶片上的圖案的不同部分的期望CD與實際CD之間更好地匹配。

處理CD變化的另一種方式涉及在光掩模基板內(nèi)的在具有可變的光學密度的圖案部分上方的特定位置中植入遮蔽元件。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一些實施例，提供了一種向光掩模傳達方向選擇性光衰減的方法。方法可以包含對不同入射方向的光線分配不同衰減等級。方法還可以包括計算遮蔽元件陣列，以取決于光線的入射方向，用分配的不同衰減等級來衰減光線。方法還可以包括在光掩模的基板內(nèi)雕刻遮蔽元件陣列。

在一些實施例中，不同入射方向可以包括不同方位角方向。

在一些實施例中，不同入射方向可以包括不同入射角。

在本發(fā)明的一些實施例中，遮蔽元件陣列可以設計為對不同方向的入射光線呈現(xiàn)不同散射截面。

在本發(fā)明的一些實施例中，遮蔽元件陣列的一個或多個特性在遮蔽元件陣列上局部地變化。

在一些實施例中，遮蔽元件陣列的一個或多個特性可以選自由以下特性組成的組：像素尺寸、形狀、像素取向、陣列的像素密度以及陣列中的遮蔽元件的布置。在本說明書的語境中，“像素”通常是指一種遮蔽元件陣列的元件。

根據(jù)一些實施例，遮蔽元件陣列可以包含至少兩個移位的實質(zhì)上平行的遮蔽元件的二維隊形。

在一些實施例中，至少兩個移位的實質(zhì)上平行的遮蔽元件的二維隊形可以包含三個遮蔽元件的二維隊形。

在一些實施例中，三個遮蔽元件的二維隊形可以包含兩個外部的遮蔽元件的二維隊形和外部隊形之間的第三遮蔽元件的二維隊形，并且兩個外部隊形可以實質(zhì)上對齊，而第三隊形可以相對于兩個外部隊形移位。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，至少兩個移位的實質(zhì)上平行的遮蔽元件的二維隊形可以相對于彼此移位。

在一些實施例中，二維隊形的遮蔽元件可以為實質(zhì)上非對稱的。

在一些實施例中，遮蔽元件陣列的遮蔽元件中的一些或全部可以設置為距基板上的圖案化涂層40至100微米內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種向光掩模傳達方向選擇性光衰減的設備。所述設備可以包含激光源；光束傳遞系統(tǒng)和聚焦光學系統(tǒng)；以及控制單元，其配置為使用激光源、光束傳遞系統(tǒng)以及聚焦光學系統(tǒng)在光掩模的基板內(nèi)雕刻遮蔽元件陣列，其中遮蔽元件陣列配置為取決于光線的入射方向，以不同衰減等級來衰減光線。