[發(fā)明專利]高頻元器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580049781.6
• 申請(qǐng)日: 2015-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN106716634B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 日野圣吾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H04B1/40
• 分類號(hào): H04B1/40;H04B1/525;H03H9/05
• 代理公司: 31100 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 張鑫<國際申請(qǐng)>=PCT/JP2015/

本發(fā)明的目的是提供不會(huì)使電感元器件的Q值劣化，能夠使整個(gè)元件的尺寸小型化的技術(shù)。在第1基板(14)的至少一個(gè)電介質(zhì)層(141～143)中俯視時(shí)與電感元器件(19)重疊的范圍內(nèi)，設(shè)定未形成內(nèi)部布線電極(22)、外部連接端子(24)等第1布線電極的第1電極不形成區(qū)域(A)，在第2基板(16)的至少一個(gè)電介質(zhì)層(161～163)中俯視時(shí)與電感元器件(19)重疊的范圍內(nèi)，設(shè)定未形成內(nèi)部布線電極(25)、安裝用電極(26)等第2布線電極的第2電極不形成區(qū)域(B)，因此，能夠抑制因第1、第2布線電極遮擋電感元器件(19)的磁場而降低其電感的情形。從而，使電感元器件(19)的Q值不會(huì)劣化，通過構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)能夠使整個(gè)元件的尺寸小型化。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及堆疊結(jié)構(gòu)的高頻元器件。

背景技術(shù)

以往，為了使俯視時(shí)的元器件尺寸小型化，提供以堆疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的高頻元器件(例如參照專利文獻(xiàn)1)。堆疊結(jié)構(gòu)是指如圖15所示的以往的堆疊結(jié)構(gòu)的高頻元器件500那樣，通過在第1基板501的上表面配置間隔構(gòu)件502，在間隔構(gòu)件502上載放第2基板503，使安裝有各種元器件504的第1基板501、和安裝有各種元器件505的第2基板503被配置為在與各基板501、503的元器件安裝面正交的方向上隔開的結(jié)構(gòu)。另外，圖15所示的例子中，各元器件504、505被配置在第1基板501和第2基板503之間。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2006-261387號(hào)公報(bào)(段落0046、0047、0049、0060、圖1、摘要等)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問題

但是，通過利用多層基板分別形成第1基板501及第2基板503，由各元器件504、505和分別設(shè)置于各基板501、503的內(nèi)部的布線電極，從而在高頻元器件500形成復(fù)雜的電路。但是，在各元器件504、505包含電感元器件的情況下，可能產(chǎn)生如下的問題。即，若電感元器件與各基板501、503各自的布線電極接近，則沿著阻礙電感元器件的磁通變化的方向，在布線電極產(chǎn)生渦電流，因此電感元器件的電感產(chǎn)生變化。另外，渦電流流過布線電極時(shí)消耗功率，因此，電感元器件的等效串聯(lián)電阻變大。從而，電感元器件的Q值降低。在該情況下，高頻元器件500的插入損耗特性劣化。但是，在堆疊結(jié)構(gòu)的高頻元器件500中，即使在第1基板501和第2基板503之間配置了電感元器件，對(duì)于分別形成在第1基板501及第2基板503的布線電極與電感元器件的位置關(guān)系對(duì)高頻元器件500的特性的影響，也未進(jìn)行充分探討。

本發(fā)明是鑒于上述問題而完成，其目的在于提供一種不會(huì)使電感元器件的Q值劣化，能夠使元器件整體的尺寸小型化的技術(shù)。

解決問題所采用的技術(shù)方案

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的高頻元器件的特征在于，包括：第1基板，該第1基板由多個(gè)絕緣層層疊而成，形成第1布線電極；間隔構(gòu)件，該間隔構(gòu)件配置在所述第1基板的一個(gè)主面；第2基板，該第2基板由多個(gè)絕緣層層疊而成，配置為層疊于所述間隔構(gòu)件并與所述第1基板隔開，形成第2布線電極；以及電感元器件，該電感元器件安裝在所述第1基板的一個(gè)主面，在所述第1基板的至少一個(gè)所述絕緣層中俯視時(shí)與所述電感元器件重疊的范圍內(nèi)，設(shè)定未形成所述第1布線電極的第1電極不形成區(qū)域，在所述第2基板的至少一個(gè)所述絕緣層中俯視時(shí)與所述電感元器件重疊的范圍內(nèi)，設(shè)定未形成所述第2布線電極的第2電極不形成區(qū)域。

這樣構(gòu)成的發(fā)明中，由于在第1基板的至少一個(gè)絕緣層中俯視時(shí)與電感元器件重疊的范圍內(nèi)，設(shè)定未形成第1布線電極的第1電極不形成區(qū)域，在第2基板的至少一個(gè)絕緣層中俯視時(shí)與電感元器件重疊的范圍內(nèi)，設(shè)定未形成第2布線電極的第2電極不形成區(qū)域，因此，能夠減少配置在電感元器件的附近的第1、第2布線電極的量。從而，能夠降低在第1、第2布線電極產(chǎn)生的渦電流，因此能夠抑制電感元器件的電感降低。由此，電感元器件的Q值不會(huì)劣化，能夠通過構(gòu)成為堆疊結(jié)構(gòu)使整個(gè)元器件的尺寸小型化。