[發(fā)明專利]光學(xué)構(gòu)件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580049348.2
• 申請(qǐng)日: 2015-07-09
• 公開（公告）號(hào): CN107076898B
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 和田豊;村上亮介;佐藤武俊;長(zhǎng)浜勉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 迪睿合株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02B5/28
• 分類號(hào): G02B5/28;B32B3/30;B32B7/023;G02B5/00;G02B5/08;G02B5/12;G02B5/26
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋融冰

1.一種光學(xué)構(gòu)件，其特征在于，

具有第一光學(xué)透明層、波長(zhǎng)選擇反射層和第二光學(xué)透明層，所述第一光學(xué)透明層具有凹凸形狀且對(duì)可見光透明，所述波長(zhǎng)選擇反射層形成在所述第一光學(xué)透明層的所述凹凸形狀上并選擇性地反射紅外的特定波長(zhǎng)，所述第二光學(xué)透明層形成在所述波長(zhǎng)選擇反射層上，

所述波長(zhǎng)選擇反射層至少具有折射率為1.7以上的非晶質(zhì)高折射率層、金屬層、以及與所述第二光學(xué)透明層接觸的折射率為1.7以上的晶質(zhì)高折射率層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述晶質(zhì)高折射率層的材質(zhì)為金屬氧化物和金屬氮化物中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述非晶質(zhì)高折射率層的材質(zhì)為金屬氧化物和金屬氮化物的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述金屬層的平均厚度為5nm～85nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述金屬層的平均厚度為5nm～60nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述金屬層的平均厚度為5nm～40nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述金屬層的平均厚度為5nm～25nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述第一光學(xué)透明層的凹凸形狀由多個(gè)結(jié)構(gòu)體的一維排列和二維排列中的任一種形成，所述結(jié)構(gòu)體的形狀為棱柱狀、雙凸透鏡狀、半球狀以及角隅棱鏡狀中的任一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述晶質(zhì)高折射率層的材質(zhì)為ZnO以及復(fù)合金屬氧化物中的至少一種，

所述復(fù)合金屬氧化物含有Al₂O₃和Ga₂O₃中的至少一種金屬氧化物以及ZnO，所述復(fù)合金屬氧化物中的所述金屬氧化物相對(duì)于所述ZnO為6質(zhì)量％以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的光學(xué)構(gòu)件，其中，

所述非晶質(zhì)高折射率層的材質(zhì)為：

含有In₂O₃和相對(duì)于所述In₂O₃為10質(zhì)量％～40質(zhì)量％的CeO₂的復(fù)合金屬氧化物；含有In₂O₃和相對(duì)于所述In₂O₃為3質(zhì)量％～10質(zhì)量％的SnO₂的復(fù)合金屬氧化物；含有ZnO和相對(duì)于所述ZnO為20質(zhì)量％～40質(zhì)量％的SnO₂的復(fù)合金屬氧化物；含有ZnO和相對(duì)于所述ZnO為10質(zhì)量％～20質(zhì)量％的TiO₂的復(fù)合金屬氧化物；In₂O₃；以及Nb₂O₅中的至少一種。