[發明專利]半導體單晶的再熔融方法

有效

• 申請號: 201580049307.3
• 申請日: 2015-09-09
• 公開（公告）號: CN107075718B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 增田直樹;浦野雅彥
• 申請（專利權）人: 信越半導體株式會社
• 主分類號: C30B15/22
• 分類號: C30B15/22
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種半導體單晶的再熔融方法，其是使用具備：對收容熔融液的坩堝進行加熱保溫的加熱器、及一邊從所述熔融液提拉一邊培育半導體單晶的繩線的單晶提拉裝置，使半導體單晶的下端部浸沒在熔融液中并使其再熔融的方法，所述單晶提拉裝置具備：再熔融檢出裝置，其在用所述繩線使所述半導體單晶的下端部浸沒在所述熔融液中并再熔融時，根據所述半導體單晶的重量變化，來檢出所述半導體單晶的下端部的再熔融已經完成；最下端檢出裝置，其通過在所述坩堝與所述繩線之間施加電壓，來一邊在所述半導體單晶與所述熔融液之間施加電壓，一邊用所述繩線卷繞提起所述半導體單晶時，根據所述半導體單晶與所述熔融液之間變得無電流流動的位置，來檢出所述半導體單晶的最下端，所述半導體單晶的再熔融方法的特征在于，具有：

卷繞下降所述單晶提拉裝置的所述繩線，使所述半導體單晶的下端部浸沒在所述熔融液中，使該下端部再熔融的結晶浸沒工序；

使用所述再熔融檢出裝置，根據所述半導體單晶的重量變化，來檢出浸沒在所述熔融液中的所述半導體單晶的下端部的熔融已經完成的再熔融檢出工序；

一邊在所述半導體單晶與所述熔融液之間施加電壓一邊用所述繩線卷繞提起所述半導體單晶，使用所述最下端檢出裝置，根據所述半導體單晶與所述熔融液之間變得無電流流動的位置，來檢出所述半導體單晶的最下端的最下端檢出工序；

在最下端檢出工序結束后，決定是再次開始結晶浸沒工序，還是結束再熔融的判斷工序。

2.根據權利要求1所述的半導體單晶的再熔融方法，其特征在于，在所述再熔融檢出工序中，

若所述半導體單晶的重量變化在預先設定的規定的值以內，則檢出所述浸沒的半導體單晶的下端部的再熔融已經完成。

3.根據權利要求1所述的半導體單晶的再熔融方法，其特征在于，在所述判斷工序中，

在所述半導體單晶的重量為預先設定的規定的重量以下的情況下，決定結束再熔融。

4.根據權利要求2所述的半導體單晶的再熔融方法，其特征在于，在所述判斷工序中，

在所述半導體單晶的重量為預先設定的規定的重量以下的情況下，決定結束再熔融。

5.根據權利要求1所述的半導體單晶的再熔融方法，其特征在于，在所述判斷工序中，在決定再次開始結晶浸沒工序的情況下，

在之后的所述結晶浸沒工序中，使浸沒在所述熔融液中的所述半導體單晶的下端部的長度從所述檢出的所述半導體單晶的最下端起小于所述坩堝內的所述熔融液的深度。

6.根據權利要求2所述的半導體單晶的再熔融方法，其特征在于，在所述判斷工序中，在決定再次開始結晶浸沒工序的情況下，

在之后的所述結晶浸沒工序中，使浸沒在所述熔融液中的所述半導體單晶的下端部的長度從所述檢出的所述半導體單晶的最下端起小于所述坩堝內的所述熔融液的深度。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體單晶的再熔融方法，其特征在于，通過自動進行所述結晶浸沒工序、所述再熔融檢出工序、所述最下端檢出工序、及所述判斷工序，自動進行所述半導體單晶的再熔融。