[發明專利]多價半導體光催化劑材料

在審

• 申請號: 201580049097.8
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN107427815A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: E·薩姆班丹;張彬
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: B01J23/72
• 分類號: B01J23/72;B01J23/75;B01J23/745;B01J23/34;B01J23/46;C02F1/72;C02F1/50;B01D53/86;B01D53/74;B01D53/72
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,牛蔚然

1.一種非均質材料，包含：

p型半導體，包含第一金屬氧化物化合物和第二金屬氧化物化合物，其中所述第一金屬氧化物化合物和所述第二金屬氧化物化合物具有相同金屬的不同氧化態，且其中所述p型半導體具有p型價帶；和

第一n型半導體，具有比所述p型價帶更深的n型價帶，其中所述第一n型半導體與所述p型半導體處于離子電荷連通。

2.根據權利要求1所述的非均質材料，進一步包含第二n型半導體。

3.根據權利要求1或2所述的非均質材料，其中，所述第一n型半導體為TiO₂。

4.根據權利要求1、2或3所述的非均質材料，其中，所述第一n型半導體為銳鈦型TiO₂與金紅石型TiO₂的組合。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的非均質材料，其中，第一n型半導體包含WO₃。

6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的非均質材料，其中，所述第一n型半導體對所述第二n型半導體的摩爾比為約0.5至約10。

7.根據權利要求1、2、3、4、5或6所述的非均質材料，其中，所述第二n型半導體為CeO₂、GeO₂、SnO₂、或ZrO₂。

8.根據權利要求1、2、3、4、5、6或7所述的非均質材料，其中，所述第二n型半導體為CeO₂。

9.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的非均質材料，其中，所述第二n型半導體為GeO₂。

10.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的非均質材料，其中，所述第二n型半導體為SnO₂。

11.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9或10所述的非均質材料，其中，所述p型半導體包含Cu_xO。

12.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11所述的非均質材料，其中，以重量計，所述p型半導體為所述非均質材料的約0.001％至約5％。

13.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12所述的非均質材料，其中，所述p型半導體為Cu_xO，并且，以重量計為所述非均質材料的約0.01％至約1％。

14.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13所述的非均質材料，其中，至少50％的所述p型半導體負載于所述第一n型半導體的顆粒和所述第二n型半導體的顆粒的表面上。

15.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14所述的非均質材料，其中，所述非均質材料為粉末形式。

16.一種非均質材料的制備方法，包括：

加熱下述混合物，所述混合物為：

1)第一n型半導體和第二n型半導體；及

2)包含銅離子絡合物的水溶液

的混合物，

其中，在將所述第一n型半導體和所述第二n型半導體與所述包含銅離子絡合物的水溶液組合前，將所述第一n型半導體與所述第二n型半導體混合。

17.根據權利要求16所述的方法，進一步包括：在加熱所述混合物后，從所述混合物中濾出所述非均質材料。

18.一種分解化合物的方法，所述方法包括：在光存在下，使所述化合物暴露于光催化劑，所述光催化劑包含根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15所述的非均質材料。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述化合物是污染物。

20.一種殺滅微生物的方法，所述方法包括：在光存在下，使所述微生物暴露于光催化劑，所述光催化劑包含根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15所述的非均質材料。

21.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15所述的非均質材料，其中，所述第二n型半導體為SnO₂。