[發(fā)明專利]太陽能電池元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580048834.2 | 申請日: | 2015-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN107078177A | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 松島德彥;手島良太;井藤剛 | 申請(專利權)人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 元件 | ||
1.一種太陽能電池元件,具備:
硅基板,在一主面具有多個凹陷部;
鈍化層,配置在該硅基板的所述一主面上,且在與所述凹陷部對應的部位具有孔部;
第1導體部,配置于該鈍化層的所述孔部;
電極,配置在所述鈍化層上,與所述第1導體部連接,且含有鋁;
第2導體部,配置在所述硅基板的所述凹陷部內(nèi),并且分別與所述硅基板及所述第1導體部連接,且含有鋁和硅;以及
空隙部,位于所述硅基板的所述凹陷部內(nèi),且未配置所述第2導體部。
2.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池元件,其中,
所述空隙部位于所述硅基板的所述凹陷部的底部與所述第2導體部之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池元件,其中,
所述第2導體部還配置在所述硅基板的所述凹陷部的底部。
4.根據(jù)權利要求1~3中任一項所述的太陽能電池元件,其中,
在所述硅基板的所述凹陷部內(nèi)還配置有與所述第2導體部相接的背表面場層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





