[發明專利]高氯含量的低衰減光纖

有效

• 申請號: 201580048706.8
• 申請日: 2015-07-10
• 公開（公告）號: CN107076921B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: G·E·伯基;D·C·布克班德;M-J·李;P·坦登
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036;C03B37/012;C03B37/014;C03B37/018;C03C13/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐鑫;項丹

1.一種單模光纖，其包括：

芯和圍繞所述芯的包覆，所述芯包含二氧化硅和大于或等于1.5重量％的氯和小于0.6重量％的F，所述芯的折射率為Δ_1最大值，以及所述包覆的折射率為Δ_2最小值，其中，Δ_1最大值>Δ_2最小值，其中，所述光纖在1550nm處是單模的，以及其中，所述包覆包含氟，以及所述芯中的氯與所述包覆中的氟的摩爾比大于1。

2.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述芯包含大于2重量％的氯。

3.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述芯基本不含氟。

4.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述光纖基本不含氟。

5.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述包覆包括內包覆和圍繞所述內包覆的外包覆，所述內包覆包含氟，所述外包覆區域具有折射率Δ₃，其中，Δ_1最大值>Δ₃>Δ_2最小值。

6.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述包覆包含大于或等于0.1重量％的氟至小于或等于1重量％的氟。

7.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述芯的折射率Δ_1最大值大于或等于0.15％至小于或等于0.5％。

8.如權利要求5所述的單模光纖，其特征在于，所述內包覆的外半徑大于或等于12微米。

9.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖在1550nm波長處的衰減小于或等于0.17dB/km。

10.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖在1550nm波長處的衰減小于或等于0.16dB/km。

11.如權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖在1550nm處的有效面積為70-90微米²且當處于20mm直徑的心軸上時，在1550nm處的彎曲損耗小于1dB/圈。

12.一種制造光纖預成形件的方法，所述方法包括：

將表面積大于10m²/gm的二氧化硅煙炱芯預成形件暴露于包含含氯化合物的氣氛，所處的溫度高于1300℃，從而形成氯摻雜的煙炱芯預成形件；

對所述煙炱芯預成形件進行燒結，以形成所述光纖預成形件的芯，使得所述芯中的氯濃度大于或等于1.5重量％的氯；以及

在所述光纖預成形件的所述芯上形成包覆，所述包覆包含氟，其中，所述芯中的氯與所述包覆中的氟的摩爾比≥1。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅煙炱預成形件的表面積大于25m²/gm。

14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，在含有分壓大于0.5atm的SiCl₄的氣氛中完成二氧化硅煙炱預成形件的氯摻雜和燒結。

15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述的將二氧化硅煙炱預成形件暴露于包含含氯化合物的氣氛的步驟包括：第一氯摻雜步驟，所述第一氯摻雜步驟包括將所述預成形件暴露于包含SiCl₄的氣氛，以及在所述暴露步驟之后，將所述預成形件暴露于包含水或氧的氣氛，之后在包含SiCl₄的氣氛中，在高于1300℃的溫度進行第二氯摻雜步驟。