[發明專利]采用使用延長通孔的金屬線局部互連的中段制程(MOL)制造的集成電路(IC)及相關方法

有效

• 申請號: 201580048484.X
• 申請日: 2015-08-24
• 公開（公告）號: CN106716631B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: J·J·朱;K·利姆;S·S·宋;J·J·徐;D·楊
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L27/02;H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 段登新;李小芳

1.一種集成電路IC，包括：

包括有源元件的基板；

置于所述基板上方的中段制程MOL層；

置于所述MOL層上方的金屬互連層，所述金屬互連層包括第一金屬導電元件和第二金屬導電元件；以及

置于所述MOL層中的延長通孔，所述延長通孔被置于與所述第一金屬導電元件和所述第二金屬導電元件接觸以將所述第一金屬導電元件與所述第二金屬導電元件互連。

2.如權利要求1所述的IC，其特征在于，進一步包括位于所述基板和所述MOL層之間的層間電介質，所述層間電介質與所述MOL層不同且有區別。

3.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述MOL層包括介電層。

4.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述第一金屬導電元件包括第一金屬線且所述第二金屬導電元件包括第二金屬線。

5.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述第一金屬導電元件平行于所述第二金屬導電元件。

6.如權利要求1所述的IC，其特征在于，進一步包括置于金屬結構下方的絕緣體，所述絕緣體將所述金屬結構與關聯于所述基板的所述有源元件隔離。

7.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC是三維3DIC。

8.如權利要求3所述的IC，其特征在于，所述介電層包括氮化硅SiN。

9.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述延長通孔包括鎢工藝通孔。

10.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述延長通孔包括延長的穿硅通孔TSV。

11.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC被集成到半導體管芯中。

12.如權利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC被集成到選自由以下各項組成的組的設備中：娛樂單元；導航設備；通信設備；固定位置數據單元；移動位置數據單元；計算機；個人數字助理PDA；監視器；電視機；調諧器；以及無線電。

13.一種集成電路IC，包括：

包括有源元件的基板；

置于所述基板上方的中段制程MOL層；

用于提供置于所述MOL層上方的金屬互連的裝置，所述用于提供所述金屬互連的裝置包括金屬互連層裝置，所述金屬互連層裝置包括第一金屬導電裝置和第二金屬導電裝置；以及

用于將所述金屬互連層裝置和所述MOL層耦合的裝置，所述用于耦合的裝置被定位在所述MOL層中。

14.一種形成集成電路IC的方法，包括：

作為前段制程FEOL工藝的一部分，提供包括有源元件的基板；

作為所述FEOL工藝的一部分，提供置于所述基板上方的中段制程MOL層；

作為MOL工藝的一部分，提供置于所述MOL層上方的金屬互連層，所述金屬互連層包括第一金屬導電元件和第二金屬導電元件；以及

作為所述MOL工藝的一部分，提供置于所述MOL層中的延長通孔，所述延長通孔與所述第一金屬導電元件和所述第二金屬導電元件接觸以將所述第一金屬導電元件與所述第二金屬導電元件互連。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，進一步包括提供與所述MOL層有區別且不同于所述MOL層的層間電介質，所述層間電介質位于所述MOL層下方。

16.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述有源元件包括晶體管。

17.如權利要求14所述的方法，其特征在于，提供所述MOL層包括提供介電層。

18.如權利要求14所述的方法，其特征在于，提供所述MOL層包括提供氮化硅SiN層。