[發明專利]半導體層疊結構以及使用半導體層疊結構分離氮化物半導體層的方法和裝置有效
| 申請號： | 201580048456.8 | 申請日： | 2015-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN106688113B | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 尹義埈;文大榮;張正煥;樸容助;裵德圭 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 層疊 結構 以及 使用 分離 氮化物 方法 裝置 | ||
【說明書】：
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