[發明專利]用于通過有條件地修整而減小存儲設備的聲明容量的過程和裝置

有效

• 申請號: 201580047849.7
• 申請日: 2015-09-01
• 公開（公告）號: CN107003939B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: A.塞繆爾斯;W.F.克魯格;L.T.張
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G11C11/56;G11C16/34;G11C29/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

系統、方法和/或設備用于減小存儲系統中的存儲設備的非易失性存儲器的聲明容量。一方面，所述方法包括：檢測改善觸發；以及根據所述檢測到的改善觸發，執行用于減小所述存儲設備的所述非易失性存儲器的聲明容量的改善過程，包括：獲取所述存儲設備的所述非易失性存儲器的目標容量和所述存儲設備的所述非易失性存儲器的當前利用率，其中，所述目標容量低于所述存儲設備的所述非易失性存儲器的當前容量，并且所述當前利用率與邏輯地址空間中的已分配邏輯地址相對應；根據確定所述目標容量不大于所述當前利用率，修整所述已分配邏輯地址的至少一部分；以及減小所述存儲設備的所述非易失性存儲器的聲明容量。

技術領域

所公開的實施例總體上涉及存儲器系統，并且具體地涉及減小存儲設備(例如，包括一個或多個閃存設備)的聲明容量。

背景技術

半導體存儲器設備(包括閃存)通常利用存儲器單元來將數據存儲為電性值，如電荷或電壓。閃存單元例如包括具有用于存儲表示數據值的電荷的浮柵的單個晶體管。閃存是可以被電擦除和重新編程的非易失性數據存儲設備。更一般地，與需要電力來維持存儲信息的易失性存儲器相反，即使斷電時，非易失性存儲器(例如，閃存以及使用各種技術中的任何技術實現的其他類型的非易失性存儲器)仍然保持所存儲的信息。已經采用各種方式來促進存儲密度的增加，包括：增加芯片上的通過制造發展而啟動的存儲器單元的密度，以及從單級閃存單元到多級閃存單元的轉變，從而使得每個閃存單元可以存儲兩個或更多個比特。

閃存單元的反復擦除和重新編程引起電荷存儲能力的降級(磨損)。最終，電荷存儲能力降級到其變得不可能或無法恢復原始數據的點處(例如，不可恢復的碼字從閃存設備中被讀取、要求恢復碼字的計算資源超過預定義的閾值、或者針對閃存設備的程序擦除(P/E)周期計數超過閾值)并且所述設備被認為已磨損。磨損均衡技術經常用于跨閃存設備的多個部分來使磨損分布開。在典型系統中，一旦達到閃存設備的一部分的磨損極限，整個閃存設備就被認為已經故障。

發明內容

所附權利要求書的范圍內的系統、方法和設備的各個實施例各自具有若干方面，其中這些方面中沒有哪個單個方面單獨地負責在此所描述的屬性。不限制所附權利要求書的范圍，在考慮本公開之后，并且具體地在考慮標題為“具體實施方式”的部分之后，將理解如何使用各個實施例的各個方面來使能夠減小存儲設備的聲明容量。一方面，檢測用于減小存儲系統中的存儲設備的非易失性存儲器的聲明容量的改善觸發，并且根據檢測到的改善觸發執行用于減小存儲設備的非易失性存儲器的聲明容量的改善過程。

附圖說明

為了可以更詳細地理解本公開，可參考各個實施例的特征以產生更具體的說明，所述實施例中的一些被展示在附圖中。然而，附圖僅展示了本公開的相關特征，并且因此不應被認為是限制性的，因為說明書可以允許其他有效的特征。

圖1A是框圖，展示了根據一些實施例的數據存儲系統的實施方式。

圖1B是框圖，展示了根據一些實施例的數據存儲系統的實施方式。

圖1C是框圖，展示了根據一些實施例的數據存儲系統的實施方式。

圖2A-1是框圖，展示了根據一些實施例的管理模塊的實施方式。

圖2A-2是框圖，展示了根據一些實施例的管理模塊的實施方式。

圖2B-1是框圖，展示了根據一些實施例的系統管理模塊的實施方式。

圖2B-2是框圖，展示了根據一些實施例的系統管理模塊的實施方式。

圖2C-1是框圖，展示了根據一些實施例的集群管理模塊的實施方式。

圖2C-2是框圖，展示了根據一些實施例的集群管理模塊的實施方式。

圖2D是框圖，展示了根據一些實施例的包括在圖2A-1和圖2A-2中的改善模塊的實施方式。