[發(fā)明專利]制造用于有機(jī)發(fā)光二極管的光提取基底的方法、用于有機(jī)發(fā)光二極管的光提取基底及包括其的有機(jī)發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580047709.X | 申請(qǐng)日: | 2015-09-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106663745B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔殷豪;金序炫;李柱永;金東顯;金義洙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 康寧精密素材株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人: | 劉燦強(qiáng),韓明花 |
| 地址: | 韓國(guó)忠清*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 用于 有機(jī) 發(fā)光二極管 提取 基底 方法 包括 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及一種制造用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置的光提取基底的方法。更具體地,本公開(kāi)涉及一種制造用于OLED裝置的光提取基底的方法,其中,可以通過(guò)改善分布在基質(zhì)層中的光散射顆粒的分散性和基底粘附性來(lái)提高OLED裝置的光提取效率和結(jié)構(gòu)可靠性。
背景技術(shù)
通常,發(fā)光裝置可以劃分為具有由有機(jī)材料形成的發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置和具有由無(wú)機(jī)材料形成的發(fā)光層的無(wú)機(jī)發(fā)光裝置。在OLED裝置中,OLED是基于通過(guò)經(jīng)電子注入電極(陰極)注入的電子和經(jīng)空穴注入電極(陽(yáng)極)注入的空穴的復(fù)合在有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的激子的輻射衰減的自發(fā)光光源。OLED具有一系列的優(yōu)點(diǎn),諸如低電壓驅(qū)動(dòng)、自發(fā)光、寬視角、高分辨率、自然色彩再現(xiàn)性和快速響應(yīng)時(shí)間。
近來(lái),已經(jīng)積極地進(jìn)行將OLED應(yīng)用于便攜式信息裝置、照相機(jī)、手表、辦公設(shè)備、用于車輛等的信息顯示裝置、電視(TV)、顯示裝置和照明系統(tǒng)等的研究。
為了改善這樣的上述OLED裝置的發(fā)光效率,有必要改善形成發(fā)光層的材料的發(fā)光效率或者光提取效率(即,由發(fā)光層產(chǎn)生的光被提取的效率)。
OLED裝置的光提取效率取決于OLED層的折射率。在典型的OLED裝置中,當(dāng)由發(fā)光層產(chǎn)生的光束以大于臨界角的角度出射時(shí),光束會(huì)在諸如作為陽(yáng)極的透明電極層的較高折射率的層與諸如玻璃基底的較低折射率的層之間的界面處被全反射。這會(huì)因此降低光提取效率,從而降低了OLED裝置的整體發(fā)光效率,這是有問(wèn)題的。
更詳細(xì)地進(jìn)行描述,由OLED產(chǎn)生的光中的僅大約20%從OLED裝置發(fā)射,由于源自于玻璃基底、陽(yáng)極與由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層組成的有機(jī)發(fā)光層的不同的折射率的波導(dǎo)效應(yīng)以及由于源自于玻璃基底和環(huán)境大氣之間的折射率的差異的全內(nèi)反射,而損失產(chǎn)生的光中的約80%。這里,內(nèi)部的有機(jī)發(fā)光層的折射率在1.7到1.8的范圍,而通常用于陽(yáng)極的氧化銦錫(ITO)的折射率為約1.9。由于這兩個(gè)層具有范圍為從200nm到400nm的顯著低的厚度,并且用于玻璃基底的玻璃的折射率為約1.5,從而在OLED裝置內(nèi)部形成平面波導(dǎo)。計(jì)算出由于上述原因在內(nèi)部波導(dǎo)模式中損失的光的比率為約45%。另外,由于玻璃基底的折射率為約1.5,環(huán)境大氣的折射率為1.0,所以當(dāng)光離開(kāi)玻璃基底的內(nèi)部時(shí),入射角大于臨界角的光束被全反射并被俘獲在玻璃基底內(nèi)部。被俘獲的光的比率為約35%,可以從OLED裝置僅發(fā)射所產(chǎn)生的光的約20%。
為了克服這樣的問(wèn)題,已經(jīng)積極地研究了光提取層,通過(guò)所述光提取層可以提取否則將在內(nèi)部波導(dǎo)模式中損失的光的80%。光提取層通常被分類為內(nèi)部光提取層和外部光提取層。在外部光提取層的情況下,可以通過(guò)在基底的外表面上設(shè)置包括微透鏡的膜來(lái)改善光提取效率,微透鏡的形狀從各種形狀中選擇。光提取效率的改善不明顯依賴于微透鏡的形狀。另一方面,內(nèi)部光提取層直接提取否則將在光波導(dǎo)模式中損失的光。因此,內(nèi)部光提取層改善光提取效率的可能性可能高于外部光提取層改善光提取效率的可能性。然而,當(dāng)入射光的角度基本上垂直于玻璃基底時(shí),內(nèi)部光提取層可能起到與該意圖相反的作用。盡管內(nèi)部光提取層可以具有比外部光提取層的光提取效率高的光提取效率,但是這樣的內(nèi)部光提取層可能導(dǎo)致光損失。另外,內(nèi)部光提取層必須在OLED裝置的制造工藝期間形成,受到后續(xù)工藝的影響,并且在技術(shù)方面難以形成,這是有問(wèn)題的。
在技術(shù)方面,通常用包含光散射顆粒的光散射層涂覆基底。具體地,金屬氧化物顆粒可以用作分布在基質(zhì)中的光散射顆粒,以在金屬氧化物顆粒的邊界處獲得折射率差和光散射效果。然而,根據(jù)這種常規(guī)方法,光散射顆粒的團(tuán)聚會(huì)降低分散性,從而降低了光提取效果。另外,這可能因此降低表面粗糙度特性,從而降低了OLED裝置的壽命和可靠性,這是有問(wèn)題的。此外,通常,形成在球形光散射顆粒之間的空隙使光散射顆粒與基底之間的粘附性降低。此特征會(huì)使后續(xù)處理困難。
[現(xiàn)有技術(shù)文件]
第1093259號(hào)韓國(guó)專利(2011年12月6日)
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題
因此,考慮到現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問(wèn)題做出本公開(kāi),本公開(kāi)提出了一種制造用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置的光提取基底的方法,其中,能夠通過(guò)改善分布在基質(zhì)層中的光散射顆粒的分散性和基底粘附性來(lái)提高OLED裝置的光提取效率和結(jié)構(gòu)可靠性。
技術(shù)方案
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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