[發(fā)明專利]固化性組合物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580047603.X
• 申請(qǐng)日: 2015-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN106795228B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 城內(nèi)公之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C08F2/44
• 分類號(hào): C08F2/44;B82Y30/00;C08F291/00;C08F292/00;G03F7/004;G03F7/029;G03F7/031;H01L29/06
• 代理公司: 上海華誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 湯國(guó)華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及含量子點(diǎn)的固化性組合物以及顯示裝置。

背景技術(shù)

專利文獻(xiàn)1中記載了半導(dǎo)體超微粒(量子點(diǎn))、溶劑以及可聚合單體構(gòu)成的固化性組合物。

先行技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

【專利文獻(xiàn)1】特開平10-186426號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術(shù)課題

由專利文獻(xiàn)1中記載的固化性組合物，通過(guò)光刻法形成固化圖案時(shí)，存在顯影后的固化圖案的殘膜率低的問(wèn)題。此處的固化圖案是基板的一部分上形成了固化膜者。此外，殘膜率是指下式(z)所示的值。

殘膜率(％)＝Td/Te×100 (z)

[式(z)中，Td表示固化圖案的膜厚，Te表示光照射后的組合物層的膜厚。]

解決課題的技術(shù)手段

本發(fā)明包含以下的發(fā)明。

[1]一種固化性組合物，是含有量子點(diǎn)、聚合引發(fā)劑以及聚合性化合物的固化性組合物，所述聚合引發(fā)劑包含從肟化合物、酰基膦化合物、三嗪化合物以及聯(lián)咪唑化合物形成的群中選擇的至少一種。

[2]根據(jù)[1]中記載的固化性組合物，所述從肟化合物、酰基膦化合物、三嗪化合物以及聯(lián)咪唑化合物形成的群中選擇的至少一種，是分子內(nèi)具有至少兩個(gè)芳香環(huán)的化合物。

[3]根據(jù)[1]或[2]中記載的固化性組合物，所述聚合引發(fā)劑含有肟化合物。

[4]根據(jù)[1]～[3]的任一項(xiàng)中記載的固化性組合物，其中，量子點(diǎn)包含從IIB族元素與ⅥA族元素的化合物、ⅢA族元素與VA族元素的化合物、以及ⅣA族元素與ⅥA族元素的化合物形成的群中選擇的至少一種。

[5]根據(jù)[1]～[4]的任一項(xiàng)中記載的固化性組合物，其中，進(jìn)一步地含有樹脂。

[6]由[1]～[5]的任一項(xiàng)中記載的固化性組合物所形成的固化膜。

[7]含有[6]中記載的固化膜的顯示裝置。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的固化性組合物，顯影時(shí)能夠以較高殘膜率得到固化圖案，而且該固化圖案發(fā)光時(shí)的量子產(chǎn)率優(yōu)異。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的固化性組合物包含量子點(diǎn)(A)、聚合性化合物(B)、以及聚合引發(fā)劑(C)。

＜量子點(diǎn)(A)＞

量子點(diǎn)為粒徑1nm～100nm左右的半導(dǎo)體微粒，是利用半導(dǎo)體的帶隙，吸收紫外線或可見光而發(fā)光的微粒。

作為量子點(diǎn)，分別可列舉化學(xué)式為CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdHgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe等IIB族元素與ⅥA族元素的化合物；GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs以及InAlPAs等ⅢA族元素與VA族元素的化合物；PdS以及PbSe等ⅣA族元素與ⅥA族元素的化合物等。

量子點(diǎn)包含S(硫原子)或Se(硒原子)時(shí)，可以使用經(jīng)金屬氧化物或有機(jī)物表面改性的量子點(diǎn)。使用表面改性的量子點(diǎn)時(shí)，可以防止形成有機(jī)層的材料中的反應(yīng)成分所引起的S或Se的脫離。

此外量子點(diǎn)可以與上述化合物相組合形成核-殼結(jié)構(gòu)。作為這樣的組合，舉例有核為CdSe(硒化鎘)，殼為ZnS(硫化鋅)的微粒等。

量子點(diǎn)的能量狀態(tài)與其大小有關(guān)，因此通過(guò)改變粒徑可以自由地選擇發(fā)光波長(zhǎng)。可列舉如：只由CdSe構(gòu)成的量子點(diǎn)的場(chǎng)合下，粒徑為2.3nm、3.0nm、3.8nm、4.6nm時(shí)的熒光光譜的峰波長(zhǎng)分別為528nm、570nm、592nm、637nm。此外，量子點(diǎn)的發(fā)射光譜寬度較窄，通過(guò)與具有這樣的陡峭的峰的光相組合，擴(kuò)大了顯示裝置可顯示的色域。進(jìn)一步地，量子點(diǎn)的響應(yīng)性高，可以效率良好地利用由光源放射出的光。