[發明專利]氮化鋁單結晶基板的洗凈方法及層疊體

有效

• 申請號: 201580047184.X
• 申請日: 2015-08-21
• 公開（公告）號: CN106605291B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 有行正男
• 申請（專利權）人: 株式會社德山
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;C30B33/10;H01L21/205
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種氮化鋁單結晶基板的洗凈方法，其包括將氮化鋁單結晶基板的表面，使用硬度較氮化鋁單結晶低且吸收堿性水溶液的高分子化合物材料，在上述高分子化合物材料接觸上述基板表面的狀態，在上述基板的表面的平行方向移動擦拭的擦刷洗凈步驟，該堿性水溶液為選自由氫氧化鉀及氫氧化鈉所組成的群且堿的濃度為0.05～0.5質量％的堿性水溶液。

2.如權利要求1所述的氮化鋁單結晶基板的洗凈方法，其中上述擦刷洗凈步驟中，上述堿性水溶液含有檸檬酸。

3.如權利要求1或2所述的氮化鋁單結晶基板的洗凈方法，其中上述擦刷洗凈步驟中，上述高分子化合物材料是由三聚氰胺泡棉樹脂、多孔性聚乙烯醇樹脂、纖維狀聚酯樹脂、或尼龍樹脂所組成。

4.如權利要求1或2所述的氮化鋁單結晶基板的洗凈方法，其中上述氮化鋁單結晶基板是經由使用膠態二氧化硅的化學機械研磨法研磨該基板表面。

5.一種層疊體的制造方法，其包含：將權利要求1至4任一項所述的氮化鋁單結晶基板的洗凈方法所得的氮化鋁單結晶基板，浸漬于磷酸及硫酸的混合液，去除基板表面的氧化膜的氧化膜去除步驟；及于上述氧化膜去除步驟所得的基板上，以MOCVD法層疊Al_XGa_1-XN的層疊步驟，其中0≤X≤1。

6.如權利要求5所述的層疊體的制造方法，其中該氮化鋁單結晶基板上的Al_XGa_1-XN的膜厚超過1μm，其中0≤X≤1。

7.一種氮化鋁單結晶基板，其在基板表面每400μm²，大于1μm的異物數小于1個，1μm以下異物數小于1個，且基板表面每4μm²的均方根粗糙度為0.06～0.30nm。

8.一種高分子化合物材料，其是吸收選自由氫氧化鉀及氫氧化鈉所組成的群且堿的濃度為0.05～0.5質量％的堿性水溶液而成，用于氮化鋁單結晶基板的洗凈。