[發明專利]密封用片

在審

• 申請號: 201580047044.2
• 申請日: 2015-08-21
• 公開（公告）號: CN106796922A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 石井淳;志賀豪士;飯野智繪
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 葛凡

技術領域

本發明涉及密封用片。

背景技術

以往，已知有通過在被固定于基板等上的1個或多個半導體芯片上配置密封用片，之后，在加熱下進行加壓而將半導體芯片埋入到密封用片中的半導體裝置的制造方法(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-19714號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在上述的半導體裝置的制造方法中，通過密封用片流動而半導體芯片被埋入密封用片中。然而，若密封用片的流動性不足，則有可能在密封體的外周附近，產生空隙或填料偏析。

本發明是鑒于上述的課題而進行的，其目的在于提供在形成在密封用片中埋入有半導體芯片的密封體時能夠抑制產生空隙或填料偏析的密封用片。

用于解決課題的方案

本申請發明人等發現，通過采用下述的構成，能夠解決上述的課題，從而完成本發明。

即，本發明為一種密封用片，其特征在于，90℃下的粘度在1Pa·s～50000Pa·s的范圍內。

根據本發明所述的密封用片，由于90℃下的粘度為50000Pa·s以下，所以能夠將半導體芯片適當地埋入密封用片中。此外，由于90℃下的粘度為50000Pa·s以下，具有一定程度的流動性，所以在形成的密封體的外周附近，能夠抑制產生空隙或填料偏析。此外，由于90℃下的粘度為50000Pa·s以下，所以能夠以低壓將半導體芯片埋入密封用片中。因此，即使不使用用于施加高壓的大型的密封體形成用的裝置，也能夠以簡便的裝置形成密封體。此外，由于90℃下的粘度為1Pa·s以上，所以能夠抑制因密封體形成時的壓力而構成密封用片的樹脂沿片面方向大大流動。

在上述構成中，在縱22cm×橫22cm的芯片層疊玻璃載體上，重疊切出成縱22cm×橫22cm的尺寸的密封用片后，以沖壓壓力1MPa、沖壓溫度90℃、沖壓時間120秒進行平板沖壓時的尺寸的變化率以平板沖壓前作為基準優選為20％以下，所述縱22cm×橫22cm的芯片層疊玻璃載體以縱20個×橫20個、芯片安裝間隔(芯片的端與芯片的端的間隔)3mm安裝有縱7mm×橫7mm、厚度為200μm的半導體芯片。

若上述尺寸變化率為20％以下，則能夠更加抑制因密封體形成時的壓力而構成密封用片的樹脂沿片面方向大幅流動。

發明效果

根據本發明，能夠提供在形成在密封用片中埋入有半導體芯片的密封體時能夠抑制產生空隙或填料偏析的密封用片。

附圖說明

圖1是本實施方式所述的密封用片的截面示意圖。

圖2是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖3是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖4是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖5是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖6是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖7是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖8是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖9是用于說明本實施方式所述的半導體裝置的制造方法的截面示意圖。

圖10的(a)是用于說明在空隙評價中使用的芯片層疊玻璃載體的主視圖，(b)是其平面圖。

具體實施方式

以下，對本發明的實施方式，參照附圖進行說明。但是，本發明并不僅限定于以下的實施方式。

(密封用片)

圖1是本實施方式所述的密封用片的截面示意圖。