[發明專利]數據存儲設備的鎖存器初始化

有效

• 申請號: 201580046679.0
• 申請日: 2015-09-01
• 公開（公告）號: CN106716536B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: M.拉瑟
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C11/56;G11C13/00;G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

一種數據存儲設備可以包括存儲器管芯。所述存儲器管芯包括存儲器和鎖存器。一種方法可以包括：接收與將信息寫入所述存儲器中的寫入操作相對應的命令。所述方法可以進一步包括：在于所述存儲器管芯處接收所述信息之前，將位集加載到所述鎖存器中。所述位集至少包括具有第一值的第一位以及具有與所述第一值不同的第二值的第二位。所述方法進一步包括：在所述存儲器管芯處接收所述信息以及用所述信息在所述鎖存器處覆寫所述位集的至少一部分。

技術領域

本公開總體上涉及一種數據存儲設備并且更具體地涉及數據存儲設備的鎖存器初始化。

背景技術

非易失性數據存儲設備已經使數據和軟件應用的增加可移植性成為可能。例如，存儲器設備的多級存儲單元(MLC)存儲元件可以各自存儲指示多個數據位的值，從而相比單級單元(SLC)存儲器設備增強了數據存儲密度。因此，存儲器設備可以使用戶存儲并訪問大量的數據。在一些情況中，數據可以包括連續值序列(例如，邏輯“0”值字符串或者邏輯“1”值字符串)。

將公共值存儲在多個相鄰的存儲元件中可以如通過在一些存儲器設備中引起較大泄漏電流而使存儲器設備的性能降級。為了說明，在電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)中，將一列存儲元件編程為低阻狀態可能產生較大的泄漏電流。此外，將公共值存儲在多個相鄰的存儲元件中可以在一些存儲器設備中引起干擾效應。例如，如果相鄰的存儲元件被編程為公共值，則閃存設備的存儲元件可能更傾向于產生交叉耦合效應(并因此讀取誤差和解碼誤差)。

為了避免對相鄰存儲元件編程公共值，一些存儲器設備對有待存儲的數據進行擾碼或塑形。在一些情況下，這種技術可能仍導致將公共值編碼給相鄰的存儲元件，如，在有待寫入的數據中存在“間隙”的情況(在這種情況中，重復的“默認”值序列可以代替間隙被寫入，如，邏輯“0”值或邏輯“1”值的序列)。一些存儲器設備可以在這種間隙中插入偽數據，以避免編程默認的公共值序列。然而，將偽數據從控制器發送至存儲器可以使用存儲器設備處的大量資源(例如，通過使用電源來經由總線在控制器與存儲器之間傳送偽數據)。

發明內容

一種數據存儲設備，包括存儲器管芯。所述存儲器管芯可以包括存儲器、鎖存和初始化電路，所述初始化電路對所述鎖存器進行初始化以進行將信息寫入所述存儲器中的寫入操作。可以使用具有多個位值(例如，第一位值以及不同于所述第一位值的第二位值)的位集(例如，隨機化位序列或位模式)對鎖存器進行初始化。例如，所述位集可以是由存儲器管芯生成的或從存儲器管芯檢索到的隨機的或偽隨機的位序列。在將所述位集加載到鎖存器中之后，有待寫入存儲器中的信息可以由數據存儲設備的控制器或由主機設備提供給鎖存器(例如，以覆寫所述位集)。所述信息然后可以被編程到存儲器，如使用存儲器管芯的讀/寫電路。

如果信息的位長小于鎖存器的存儲大小，則當將存儲在存儲器中的信息加載到鎖存器中時可能存在“間隙”。在這種情況下，使用具有多個值的位集來對鎖存器進行初始化可以避免將公共值序列(例如，默認的邏輯“0”值或邏輯“1”值序列)編程到存儲器中，因此在存儲器處減小了泄漏電流和/或讀取干擾效應(例如，如果包括1和0的隨機化位序列或位模式被編程到相鄰的存儲元件中而不是將公共值編程到相鄰的存儲元件中)。在一些實施方式中，存儲器可以具有多級存儲單元(MLC)配置，并且有待寫入存儲器中的信息可以包括多個邏輯頁，所述邏輯頁被鎖存到存儲器的多個鎖存器中。在這種情況下，在將多個邏輯頁存儲到多個鎖存器中之前，不同的隨機化位序列可以用于對每個鎖存器進行初始化。以下參照附圖描述了其他示例。

附圖說明

圖1是一種包括可以被配置成用于使用具有多個值的位集對鎖存器進行初始化的數據存儲設備的系統的具體說明性實施例的框圖；

圖2是可以包括在圖1的數據存儲設備中的存儲器管芯的一部分的說明性實施例的簡圖；

圖3是可以包括在圖1的數據存儲設備中的存儲器管芯的一部分的另一個說明性實施例的簡圖；以及