[發明專利]太陽能電池組件和太陽能電池組件的制造方法有效
| 申請號: | 201580046656.X | 申請日: | 2015-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN106605305B | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 長谷川勛;實澤佳居 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人: | 龍淳,何中文 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池組件和太陽能電池組件的制造方法。
背景技術
已知有在具有三維的曲率的基材(以下稱為“彎曲基材”)上配置太陽能單電池的單電池串組而成的太陽能電池組件(例如參照專利文獻1)。如專利文獻1中已記述的那樣,三維地彎曲的太陽能電池組件,從生產性等觀點出發,優選在平面上制造了單電池串組后將該單電池串組配置在彎曲基材上來制造。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:(日本)特開2014-96511號公報
發明內容
發明要解決的課題
在彎曲基板上配置有單電池串組的情況下,例如單電池串彼此的間隔在一部分上變窄,而太陽能單電池彼此接觸,從而有可能產生短路、單元斷裂等。此外,在彎曲基材上配置的單電池串組中,容易對配線件施加大的負荷,所以要求降低該負荷來提高可靠性。
用于解決課題的方法
作為本發明的一個方式的太陽能電池組件,其包括:在縱向和橫向上彎曲的基材;配置在基材上的多個太陽能單電池;第1配線件,其將相鄰的太陽能單電池彼此在縱向上連接,而形成多個太陽能單電池排成一列的多個單電池串;和第2配線件,其與從位于單電池串的列的端部的太陽能單電池上在縱向延伸的第1配線件連接,至少一部分的第2配線件將相鄰的單電池串彼此在橫向上連接而形成單電池串組,至少一部分的第2配線件與位于與該配線件連接的單電池串的列 的端部的太陽能單電池之間的間隔,在單電池串組的橫向端部側比在橫向中央部側窄。
作為本發明的一個方式的太陽能電池組件的制造方法,包括:利用第1配線件將相鄰的太陽能單電池彼此在縱向上連接,而形成多個太陽能單電池排成一列的多個單電池串的步驟;將從位于單電池串的列的端部的太陽能單電池上在縱向上延伸的第1配線件與第2配線件連接,利用至少一部分的第2配線件在橫向上將相鄰的單電池串彼此連接而形成單電池串組的步驟;和在縱向和橫向上彎曲的基材上配置單電池串組的步驟,形成單電池串組時,以至少一部分的第2配線件與位于與該配線件連接的單電池串的列的端部的太陽能單電池的間隔,在單電池串組的橫向端部側比在橫向中央部側窄的方式,將該第2配線件與第1配線件連接。
發明的效果
根據本發明的一個方式,在三維地彎曲的太陽能電池組件中,能夠得到不會產生太陽能單電池彼此的接觸引起的短路、單元斷裂等的、太陽能單電池良好的排列狀態。此外,能夠降低施加在配線件上的負荷,從而提高可靠性。
附圖說明
圖1是從受光面側觀察第1實施方式的太陽能電池組件的立體圖(并且表示該太陽能電池組件的橫向截面)。
圖2是從受光面側觀察第1實施方式的太陽能電池組件的平面圖。
圖3是表示第1實施方式的太陽能電池組件的縱向截面的一部分的圖。
圖4是用于說明第1實施方式的太陽能電池組件的制造方法等圖。
圖5是從受光面側觀察第2實施方式的太陽能電池組件的平面圖。
圖6是用于說明第2實施方式的太陽能電池組件的制造方法等圖。
具體實施方式
以下,參照附圖詳細說明實施方式的一個例子。
實施方式中參照的附圖是示意性記載的附圖,附圖中描繪的構成要素的尺寸比例等有時與實際情況不同。應該參照以下的說明判斷具體的尺寸比例等。
本說明書中,作為表示方向的用語,使用“縱向”、“橫向”。縱向是指構成單電池串的太陽能單電池排列的方向。橫向是指與縱向正交的方向,且是構成單電池串組的單電池串排列的方向。此外,“在第1部件上設置第2部件”這樣的記載,只要沒有特別限定,并不僅僅指第1與第2部件直接接觸地設置的情況。即,該記載包括在第1與第2部件之間存在其他部件的情況。
下面,設太陽能電池組件中太陽光主要入射(超過50%~100%)的面為“受光面”、與受光面相反一側的面為“背面”。受光面、背面的用語也對太陽能單電池等構成要素使用。
<第1實施方式>
以下參照圖1~圖4詳細說明作為第1實施方式的太陽能電池組件10。圖1和圖2分別是從受光面側觀察太陽能電池組件10的立體圖、平面圖。圖3是表示太陽能電池組件10的縱向截面的一部分的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





