[發明專利]圖案化接地以及形成圖案化接地的方法

在審

• 申請號: 201580046601.9
• 申請日: 2015-09-01
• 公開（公告）號: CN106663669A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: U-M·喬;Y·K·宋;J·H·尹;J-H·李;X·張
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/64
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 楊麗,李小芳

公開領域

本公開一般涉及半導體封裝接地，且尤其但不排他地涉及用于半導體封裝的圖案化接地。

背景

在常規的方形扁平無引線(QFN)封裝中，凸塊或銅柱將包含電感性元件的芯片與包含金屬封裝接地的封裝體分隔開。這些柱或凸塊是短的，并且導致芯片與金屬封裝接地之間的微小分隔。電感性元件生成磁場，該磁場感生或導致金屬封裝接地中的渦流電流。所感生的渦流電流的幅值部分地取決于將磁場源(電感性元件)與金屬封裝接地分隔開的距離。所感生的渦流電流是有問題的，因為它們具有寄生效應并且使電感性元件的性能降級。通過在封裝中在電感性元件之下以及在電感性元件與金屬封裝接地之間增大空洞，電感性元件的性能能夠由于電感性元件與金屬封裝接地的增大的分隔被改善。然而，這一設計使封裝的熱耗散能力降級。相應地，存在對于通過減小所感生的渦流電流同時提供改進的熱耗散來對常規方法進行改進的集成電路封裝結構和方法的需要。

作為這些教導的特性的發明性特征、連同進一步的特征和優點從詳細說明和附圖中被更好地理解。

概述

以下給出了與本文所公開的裝置和方法相關聯的一個或多個方面和/或示例相關的簡化概述。如此，以下概述既不應被視為與所有構想的方面和/或示例相關的詳盡縱覽，以下概述也不應被認為標識與所有構想的方面和/或示例相關的關鍵性或決定性要素或描繪與任何特定方面和/或示例相關聯的范圍。相應地，以下概述僅具有在以下給出的詳細描述之前以簡化形式呈現與關于本文所公開的裝置和方法的一個或多個方面和/或示例相關的某些概念的目的。

本公開的一些示例涉及用于電感器或電感性元件之下的圖案化接地設計的系統、裝置和方法，該電感器或電感性元件例如半導體封裝的變壓器中的耦合電感器。該圖案化接地消除或顯著減少與電感器或變壓器相關聯的渦流電流，并且還對由半導體封裝中的各個組件所生成的熱提供更好的熱耗散。

在本公開的一些示例中，該系統、裝置和方法包括：金屬層，位于該金屬層之上的電感性元件，毗鄰該電感性元件的第一接地平面，該第一接地平面具有與由該電感性元件所生成的磁場大致垂直的導線；以及第二接地平面。

基于附圖和詳細描述，與本文公開的裝置和方法相關聯的其它特征和優點對本領域的技術人員而言將是明了的。

附圖簡要說明

給出了附圖以描述本教導的示例，并且附圖并不作為限定。給出附圖以助益本公開的示例的描述，并且提供這些附圖僅僅是為了解說示例而非對其進行限制。

圖1描繪了QFN封裝的橫截面視圖。

圖2描繪面柵陣列(LGA)封裝的框圖。

圖3描繪一示例性圖案化接地的俯視圖。

圖4描繪一示例性圖案化接地的俯視圖。

圖5描繪一示例性圖案化接地的俯視圖。

圖6描繪一示例性圖案化接地的俯視圖。

圖7描繪一示例性圖案化接地的俯視圖。

圖8描繪一示例性圖案化接地的俯視圖。

圖9A-E描繪用于形成一示例性圖案化接地的過程流程。

根據慣例，附圖中所描繪的特征可能并非按比例繪制。相應地，出于清晰起見，所描繪的特征的尺寸可能被任意放大或縮小。根據慣例，為了清楚起見，某些附圖被簡化。因此，附圖可能未繪制特定裝備或方法的所有組件。此外，類似附圖標記貫穿說明書和附圖標示類似特征。

詳細描述

本文所公開的各示例性方法、裝置和系統有利地提供一種集成電路封裝，該集成電路封裝具有電感性元件(諸如在變壓器內)，以及被圖案化到一形狀中的接地平面，該接地平面具有與由該電感性元件所生成的磁場大致垂直的導線。該圖案化接地的導線的形狀和垂直取向抑制了由該電感性元件(例如該封裝中的變壓器中的耦合電感器)所生成的磁場所創生的渦流電流，并且還提供了耗散由該集成電路封裝的各組件所生成的熱的熱通路。該圖案化接地平面的垂直取向提供了抑制渦流電流的抵消效應，同時該圖案化接地平面的尺寸和寬度比率可以被確定大小以優化這一效應。該圖案化接地結構可包括中央導線或替換地中央間隙。中央間隙可為圖案化接地結構提供附加熱阻，而中央導線可以提供附加熱通路并且增大抵消效應。