[發(fā)明專利]銅阻擋物的化學(xué)機(jī)械拋光組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580046257.3
• 申請日: 2015-06-25
• 公開（公告）號: CN106661431B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 富琳;S.格拉賓;J.戴薩德;翁巍;劉磊;A.利奧諾夫
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉柏微電子材料股份公司
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邢岳

1.化學(xué)機(jī)械拋光組合物，包含：

基于水的液體載劑；

分散在該液體載劑中的膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒；

氨基硅烷化合物或鏻硅烷化合物，其結(jié)合到所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒的外表面的內(nèi)部；

氧化劑；以及

銅拋光抑制劑和銅絡(luò)合劑中的至少一種。

2.化學(xué)機(jī)械拋光組合物，包含：

基于水的液體載劑；

分散在該液體載劑中的膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒；

結(jié)合到所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒的外表面的內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)，其中所述化學(xué)物質(zhì)為：含磷的化合物，或者，除氨基硅烷化合物以外的含氮的化合物；

氧化劑；

銅拋光抑制劑和銅絡(luò)合劑中的至少一種；以及

在3至7范圍內(nèi)的pH值。

3.權(quán)利要求1和2之一的組合物，具有在3至6范圍內(nèi)的pH值。

4.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，其中，所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒具有至少13毫伏的永久性正電荷。

5.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，其中，所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒具有在30納米至70納米范圍內(nèi)的平均粒徑。

6.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，包含1重量％至10重量％的所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒。

7.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，包含2重量％至6重量％的所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒。

8.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，其中，所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒的30％或更高包括三個或更多個聚集的初級顆粒。

9.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，其中，所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒的50％或更高包括三個或更多個聚集的初級顆粒，且所述膠態(tài)氧化硅研磨劑顆粒的20％或更高為單體或二聚體。

10.權(quán)利要求1的組合物，其中，所述氨基硅烷化合物包含丙基、伯胺、或季胺。

11.權(quán)利要求1的組合物，其中，所述氨基硅烷化合物包含雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、二乙基氨基甲基三烷氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三烷氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基)氨基丙基三烷氧基硅烷、氨基丙基三烷氧基硅烷、(2-N-芐基氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、三烷氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三甲基銨、N-(三烷氧基甲硅烷基乙基)芐基-N,N,N-三甲基銨、雙(甲基二烷氧基甲硅烷基丙基)-N-甲基胺、雙(三烷氧基甲硅烷基丙基)脲、雙(3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基)-乙二胺、雙(三烷氧基甲硅烷基丙基)胺、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二烷氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二烷氧基硅烷、(N-三烷氧基甲硅烷基丙基)聚乙烯亞胺、三烷氧基甲硅烷基丙基二亞乙基三胺、N-苯基-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、N-(乙烯基芐基)-2-氨基乙基-3-氨基丙基三烷氧基硅烷、4-氨基丁基三烷氧基硅烷、或者它們的混合物。

12.權(quán)利要求11的組合物，其中，所述氨基丙基三烷氧基硅烷為3-氨基丙基三烷氧基硅烷。

13.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，其中，所述氧化劑包含過氧化氫。

14.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，包含銅拋光抑制劑及銅絡(luò)合劑這兩者。

15.權(quán)利要求1-2中任一項的組合物，其中，所述銅拋光抑制劑是唑化合物、具有大于或等于6的碳鏈長度的陰離子型或兩性的表面活性劑、或者它們的混合物。