[發明專利]具有微蓋層的顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201580046255.4 | 申請日: | 2015-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN106796947B | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發明(設計)人: | 孫海晙;柳重豪;崔時赫 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;譚天 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 蓋層 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基底層,所述基底層具有在所述顯示裝置的第一部與第二部之間的彎曲容許部;
多個有機發光二極管(OLED)元件,所述多個有機發光二極管元件設置在所述基底層的所述第一部上;
在所述有機發光二極管(OLED)元件上方的封裝部;
印刷電路膜,所述印刷電路膜附接至所述基底層的所述第二部;
微涂層,所述微涂層設置在所述基底層的所述彎曲容許部上方;以及
其中所述微涂層被布置成覆蓋所述封裝部的一部分。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括多條配線跡線,所述多條配線跡線被布線在所述基底層的所述第一部與所述第二部之間,其中所述微涂層被布置成覆蓋所述彎曲容許部中的所述多條配線跡線。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,還包括在所述封裝部上的偏振層,所述偏振層被定位成露出所述封裝部的上表面的至少一部分,其中所述微涂層被布置成覆蓋所述封裝部的上表面的在所述偏振層的邊緣與所述封裝部的邊緣之間的至少一部分。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中覆蓋所述封裝部的所述上表面的所述微涂層接觸所述偏振層的側壁。
5.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中覆蓋所述封裝部的所述上表面的所述微涂層包括接觸所述偏振層的側壁的部分和與所述偏振層的所述側壁間隔開的部分。
6.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中所述微涂層被布置成覆蓋附接在所述顯示裝置的所述第二部上的所述印刷電路膜的一部分。
7.根據權利要求3所述的顯示裝置,還包括:
在被布線在所述顯示裝置的所述第一部與所述第二部之間的所述多條配線跡線下方的緩沖層;以及
在被布線在所述顯示裝置的所述第一部與所述第二部之間的所述多條配線跡線上的鈍化層,其中所述多條配線跡線在所述彎曲容許部中具有應變減小跡線設計,以及其中所述彎曲容許部中的所述鈍化層和所述緩沖層具有與所述配線跡線在所述彎曲容許部中的所述應變減小跡線設計對應的圖案。
8.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中所述第一部、所述第二部以及所述彎曲容許部中的每一個包括在缺口線與距各個缺口線最近的配線跡線之間的緩沖層蝕刻區域。
9.根據權利要求3所述的顯示裝置,還包括附接在所述基底層的所述第一部的內表面上的第一支承膜,以及附接在所述基底層的所述第二部的內表面上的第二支承膜,其中所述第一支承膜和所述封裝部被布置成與所述封裝部相比,所述第一支承膜朝向所述基底層的所述彎曲部進一步向外延伸。
10.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中所述微涂層由光固化材料形成。
11.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中與在所述印刷電路膜與所述彎曲容許部之間的第二布線區域相比,所述微涂層在所述封裝部與所述彎曲容許部之間的第一布線區域中具有更厚的剖面。
12.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中所述封裝部的被所述微涂層覆蓋的所述上表面的寬度大于所述印刷電路膜的被所述微涂層覆蓋的寬度。
13.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中所述微涂層在所述封裝部的上表面上的高度小于所述微涂層在所述印刷電路膜上的高度。
14.一種制造顯示裝置的方法,包括:
在基底層上形成緩沖層;
在所述基底層的有源區域中形成多個有機發光二極管(OLED)元件;
在所述有機發光二極管(OLED)元件上方形成封裝部;
在所述基底層的非有源區域中形成具有應變減少圖案的導線跡線;
對所述基底層進行倒角以產生具有彎曲容許部的帶缺口的非有源區域;
對所述緩沖層進行蝕刻,以使所述基底層沿著所述導線跡線的應變減少圖案以及沿著缺口線露出;
在所述帶缺口的非有源區域中分配微涂層;
固化所述微涂層;以及
其中所述微涂層被布置成覆蓋所述封裝部的一部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





