[發明專利]半導體器件的制造方法以及半導體器件

在審

• 申請號: 201580046174.4
• 申請日: 2015-08-27
• 公開（公告）號: CN106663701A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 井上由香;池田吉紀;今村哲也
• 申請（專利權）人: 帝人株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L21/28;H01L21/288;H01L29/41;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 閆小龍,陳嵐

1.一種半導體器件的制造方法，包括在具有鈍化層的硅層或基材上形成通過所述鈍化層的貫通孔與所述硅層或基材的電極區域電氣接觸的電極，其中，

通過所述貫通孔在所述電極區域涂敷鋁漿料，然后對所述鋁漿料進行燒成，由此，形成所述電極，

所述貫通孔的最小直徑為50μm以下，并且

所述電極區域的表面摻雜劑濃度為7×10¹⁸原子/cm³以上，或者所述電極區域的薄層電阻值為70Ω以下。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述鈍化層具有1～300nm的層厚。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述鈍化層由從由氮化硅、氧化硅、氧化鋁、以及它們的組合構成的組選擇的材料所形成。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的方法，其中，所述半導體器件為太陽能電池。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的方法，其中，還包括利用下述的工序在所述鈍化層形成所述貫通孔并且進行所述電極區域的摻雜：

提供具有下述的（i）和（ii）的層疊體：（i）在所述硅層或基材上配置的第一和/或第二鈍化層，以及（ii）在第一鈍化層的上側且第二鈍化層的下側在所述電極區域上的區域配置的摻雜劑注入層，即，由摻雜硅粒子構成的摻雜劑注入層，

對所述層疊體的所述摻雜劑注入層、或所述第二鈍化層之中的所述摻雜劑注入層上的區域進行光照射，由此，對所述電極區域進行摻雜，并且至少部分地除去所述摻雜劑注入層、以及所述鈍化層，而形成所述貫通孔。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，利用下述的工序在所述鈍化層形成所述貫通孔并且進行所述電極區域的摻雜：

在所述硅層或基材上形成所述第一鈍化層，

在所述第一鈍化層之中的、所述電極區域上的區域涂敷含有摻雜硅粒子的摻雜硅粒子分散體，

對所涂敷的所述摻雜硅粒子分散體進行干燥而做成所述摻雜劑注入層，以及

對所述摻雜劑注入層進行光照射，由此，對所述電極區域進行摻雜，并且至少部分地除去所述摻雜劑注入層、以及所述第一鈍化層，而形成所述貫通孔。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，利用下述的工序在所述鈍化層形成所述貫通孔并且進行所述電極區域的摻雜：

在所述電極區域涂敷含有摻雜硅粒子的摻雜硅粒子分散體，

對所涂敷的所述摻雜硅粒子分散體進行干燥而做成所述摻雜劑注入層，

在所述硅層或基材和所述摻雜劑注入層上形成所述第二鈍化層，以及

對所述第二鈍化層之中的所述電極區域上的區域進行光照射，由此，對所述電極區域進行摻雜，并且至少部分地除去所述摻雜劑注入層、以及所述第二鈍化層，而形成所述貫通孔。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，利用下述的工序在所述鈍化層形成所述貫通孔并且進行所述電極區域的摻雜：

在所述硅層或基材上形成所述第一鈍化層，

在所述第一鈍化層之中的、所述電極區域上的區域涂敷含有摻雜硅粒子的摻雜硅粒子分散體，

對所涂敷的所述摻雜硅粒子分散體進行干燥而做成所述摻雜劑注入層，

在所述第一鈍化層和所述摻雜劑注入層上形成第二鈍化層，以及

對所述第二鈍化層之中的所述電極區域上的區域進行光照射，由此，對所述電極區域進行摻雜，并且至少部分地除去所述摻雜劑注入層、以及所述第一和第二鈍化層，而形成所述貫通孔。

9.根據權利要求5～8中的任一項所述的方法，其中，還包括在涂敷所述鋁漿料之前除去殘留在所述硅層或基材上的所述摻雜硅粒子的工序。

10.根據權利要求5～9中的任一項所述的方法，其中，所述摻雜硅粒子的平均一次粒徑為100nm以下。

11.根據權利要求5～10中的任一項所述的方法，其中，所述摻雜硅粒子的摻雜劑濃度為1×10²⁰原子/cm³以上。