[發明專利]含有小分子半導體化合物和非導電聚合物的薄膜半導體

在審

• 申請號: 201580046075.6
• 申請日: 2015-08-20
• 公開（公告）號: CN107207492A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: T·魏茨;T·格斯納;剛也純一;己史公之
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司;巴斯夫（中國）有限公司
• 主分類號: C07D471/00
• 分類號: C07D471/00;H01L29/76;H01L51/30;H01L51/05
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 林柏楠,劉金輝

1.一種薄膜半導體，其含有式I或II的化合物：

其中：

R¹和R²在每次出現時獨立地選自C_1-30烷基、C_2-30鏈烯基、C_2-30炔基和C_1-30鹵代烷基，

R³、R⁴、R⁵和R⁶獨立地是H或吸電子基團，其中R³、R⁴、R⁵和R⁶中的至少一個是吸電子基團；

和含有非導電聚合物。

2.權利要求1的薄膜半導體，其中R¹和R²在每次出現時選自C_1-12烷基和C_1-12鹵代烷基。

3.權利要求1或2的薄膜半導體，其中每個R³、R⁴、R⁵和R⁶是選自H、F、Cl、Br、I和-CN。

4.權利要求1-3中任一項的薄膜半導體，其中每個R³和R⁴是Br或-CN，并且R⁵和R⁶是H。

5.權利要求1-3中任一項的薄膜半導體，其中每個R³和R⁶是Br或-CN，并且R⁴和R⁵是H。

6.權利要求1-5中任一項的薄膜半導體，其中所述化合物具有式Ia或式Ib：

其中R'、R”在每次出現時是選自C_1-12烷基和C_1-12鹵代烷基，和

R³、R⁴和R⁶如權利要求1中所定義。

7.權利要求1-6中任一項的薄膜半導體，其中式I化合物是：

8.權利要求1-6中任一項的薄膜半導體，其中式II化合物是：

9.權利要求1-8中任一項的薄膜半導體，其中非導電聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯。

10.一種溶液，其含有如權利要求1-8任一項中定義的式I或II的化合物、非導電有機聚合物和溶劑。

11.根據權利要求10的溶液，其中非導電聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯。

12.根據權利要求1-11的溶液用于在基板上生長結晶半導體薄膜的用途。