[發(fā)明專利]用于EPI腔室的上圓頂有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580045879.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-08-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106796867B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉樹坤;穆罕默德·圖格魯利·薩米爾;常安忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó);趙靜 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 epi 圓頂 | ||
1.一種上圓頂,包括:
中央窗部分,其中所述中央窗部分朝向基板支撐件彎曲,并且其中所述中央窗部分具有:
寬度;
高度;和
窗口曲率,所述窗口曲率由至少10:1的所述寬度與所述高度的比例所界定,其中所述中央窗部分具有周緣,所述周緣形成具有支撐角度的切線表面;和
周邊凸緣,所述周邊凸緣具有:
平坦上表面;
平坦下表面;和
傾斜凸緣表面,所述周邊凸緣在所述中央窗部分的所述周緣處嚙合所述中央窗部分,所述傾斜凸緣表面具有第一表面,所述第一表面帶有從所述平坦上表面測(cè)量的小于35度的第一角度;
其中所述傾斜凸緣表面進(jìn)一步包括第二表面,所述第二表面連接所述中央窗部分的所述周緣和所述第一表面,所述第二表面具有第二角度,所述第二角度小于所述第一角度且大于所述支撐角度,并且其中所述切線表面具有端表面,所述切線表面的所述端表面具有與所述第二表面的端表面的流體過(guò)渡。
2.如權(quán)利要求1所述的上圓頂,其中所述第二表面具有端表面,所述第二表面的所述端表面具有與所述第一表面的端表面的流體過(guò)渡。
3.如權(quán)利要求1所述的上圓頂,其中所述第一角度的大小與所述第二角度的大小的比例為3:1。
4.一種上圓頂,包括:
中央窗部分,其中所述中央窗部分朝向基板支撐件彎曲,并且其中所述中央窗部分具有:
寬度;
高度;和
窗口曲率,所述窗口曲率由至少10:1的曲率半徑與所述寬度的比例所界定,其中所述中央窗部分具有周緣,所述周緣形成具有支撐角度的切線表面;和
周邊凸緣,所述周邊凸緣具有:
平坦上表面;
平坦下表面;和
傾斜凸緣表面,所述周邊凸緣在所述中央窗部分的所述周緣處嚙合所述中央窗部分,所述傾斜凸緣表面具有第一表面,所述第一表面帶有從所述平坦上表面測(cè)量的小于35度的第一角度;
其中所述傾斜凸緣表面進(jìn)一步包括第二表面,所述第二表面連接所述中央窗部分的所述周緣和所述第一表面,所述第二表面具有第二角度,所述第二角度小于所述第一角度且大于所述支撐角度,并且其中所述切線表面具有端表面,所述切線表面的所述端表面具有與所述第二表面的端表面的流體過(guò)渡。
5.如權(quán)利要求4所述的上圓頂,其中所述曲率半徑與所述寬度的所述比例大于50:1。
6.一種用于熱處理腔室中的圓頂組件,包括:
上圓頂,包含:
水平表面;
中央窗部分,所述中央窗部分朝向基板支撐件彎曲,所述中央窗部分具有高度、寬度和窗口曲率,所述窗口曲率由至少10:1的所述寬度與所述高度的比例所界定,所述中央窗部分具有周緣,所述周緣形成具有支撐角度的切線表面;和
周邊凸緣,所述周邊凸緣具有傾斜凸緣表面,所述周邊凸緣在所述中央窗部分的所述周緣處嚙合所述中央窗部分,所述傾斜凸緣表面在第一角度處具有第一表面,所述第一角度為從所述水平表面測(cè)量的小于35度的角度,其中所述傾斜凸緣表面進(jìn)一步包括第二表面,所述第二表面連接所述中央窗部分的所述周緣和所述第一表面,所述第二表面具有第二角度,所述第二角度小于所述第一角度且大于所述支撐角度,并且其中所述切線表面具有端表面,所述切線表面的所述端表面具有與所述第二表面的端表面的流體過(guò)渡;和
下圓頂,所述下圓頂與所述上圓頂相對(duì),所述下圓頂與所述上圓頂界定出內(nèi)部區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的圓頂組件,其中所述支撐角度小于10度。
8.如權(quán)利要求7所述的圓頂組件,其中所述切線表面具有端點(diǎn),所述切線表面的所述端點(diǎn)與所述第二表面的端點(diǎn)共線,以及其中所述第二表面具有端點(diǎn),所述第二表面的所述端點(diǎn)與所述第一表面的端點(diǎn)共線。
9.如權(quán)利要求6所述的圓頂組件,其中所述周邊凸緣具有小于50mm的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





