[發明專利]工程周期性結構內納米顆粒和納米線的熱輔助自組裝方法

在審

• 申請號: 201580045861.4
• 申請日: 2015-08-26
• 公開（公告）號: CN106794659A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 特里·O·科利爾;邁克爾·本頓·弗里;埃文·L·施瓦茨;馬丁·B·沃爾克;賈斯廷·P·邁爾
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: B32B3/30
• 分類號: B32B3/30;B32B17/10;B32B27/36;B32B27/06;B32B37/06;B32B37/26;B32B38/16;B32B37/10;B32B38/00;C03C17/42;H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 王靜,丁業平

1.一種用于在熱穩定基板的表面上模板化納米顆粒的方法，所述方法包括以下步驟：

提供具有結構化模板表面或層的熱穩定基板；

在犧牲樹脂中施加單分散性納米顆粒的涂層，所述涂層具有基本上貼合所述結構化模板表面或層的第一表面和與所述第一表面相背對的第二表面；以及

烘除所述犧牲樹脂以在所述結構化模板表面或層上制備所述納米顆粒的模板化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述提供步驟包括提供玻璃、石英或藍寶石基板作為所述熱穩定基板。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述提供步驟包括提供晶體支撐晶片或支撐晶片上的半導體材料作為所述熱穩定基板。

4.一種用于將納米顆粒轉印到熱穩定受體基板的方法，所述方法包括以下步驟：

提供包括載體基板的轉印膜，所述載體基板在犧牲樹脂中具有單分散性納米顆粒；

在與所述基板相對的一側上的所述犧牲樹脂上賦予結構，以在所述犧牲樹脂上制備結構化表面；

將回填層施加到所述轉印膜，所述回填層具有基本上貼合所述結構化表面的第一表面和與所述第一表面相背對的第二表面；

將帶有所述回填層的所述轉印膜層合到熱穩定受體基板，其中所述回填層的所述第二表面施加到所述熱穩定受體基板，并在所述層合之后去除所述載體基板；以及

烘除所述犧牲樹脂以在所述回填層的所述第一表面上制備所述納米顆粒的模板化層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述層合步驟包括將所述轉印膜層合到玻璃、石英或藍寶石基板。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述層合步驟包括將所述轉印膜層合到晶體支撐晶片或支撐晶片上的半導體材料。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述烘除步驟包括以足以產生所述納米顆粒的膠態外延生長并且在所述回填層的所述第一表面上制備納米顆粒的模板化多層的速率烘除所述犧牲樹脂。

8.一種用于將維度各向異性的納米材料轉印到熱穩定受體基板的方法，所述方法包括以下步驟：

提供包括第一犧牲基板、第二犧牲基板以及在所述第一基板與第二基板之間的維度各向異性的納米材料制劑的轉印膜；

在熱處理下單向拉伸所述轉印膜；

將所述轉印膜層合到熱穩定受體基板；以及

烘除所述第一犧牲基板和第二犧牲基板，以在所述熱穩定受體基板上由所述維度各向異性的納米材料制劑制備對準的維度各向異性的納米材料。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述維度各向異性的納米材料為納米線或納米管。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述層合步驟包括將所述轉印膜層合到玻璃、石英或藍寶石基板。

11.根據權利要求8所述的方法，其中所述層合步驟包括將所述轉印膜層合到晶體支撐晶片或支撐晶片上的半導體材料。

12.一種用于將維度各向異性的納米材料轉印到熱穩定受體基板的方法，所述方法包括以下步驟：

提供包含犧牲材料和維度各向異性的納米材料的轉印膜；

在熱處理下單向拉伸所述轉印膜；

將所述轉印膜層合到熱穩定受體基板；以及

烘除所述犧牲材料以在所述熱穩定受體基板上制備對準的維度各向異性的納米材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述維度各向異性的納米材料為納米線或納米管。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述層合步驟包括將所述轉印膜層合到玻璃、石英或藍寶石基板。

15.根據權利要求12所述的方法，其中所述層合步驟包括將所述轉印膜層合到晶體支撐晶片或支撐晶片上的半導體材料。