[發明專利]碳被覆硅材料的制造方法

有效

• 申請號: 201580045424.2
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN106604890B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 大島弘樹;毛利敬史;合田信弘;仲西正孝
• 申請（專利權）人: 株式會社豐田自動織機
• 主分類號: C01B33/02
• 分類號: C01B33/02;H01M4/36;H01M4/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

1.一種碳被覆硅材料的制造方法，其特征在于，包括在CaSi₂和含鹵素聚合物的共存下，在該含鹵素聚合物的碳化溫度以上的溫度下進行加熱的工序。

2.如權利要求1所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述工序是將CaSi₂和含鹵素聚合物混合并在該含鹵素聚合物的碳化溫度以上的溫度下進行加熱的工序。

3.如權利要求1所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述工序是使CaSi₂和含鹵素聚合物在非接觸下共存并在該含鹵素聚合物的碳化溫度以上的溫度下進行加熱的工序。

4.如權利要求1～3中任一項所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述加熱是多階段加熱，該多階段加熱包括在該含鹵素聚合物的分解溫度以上的溫度下進行加熱的工序以及在分解后的聚合物的碳化溫度以上的溫度下進行加熱的工序。

5.如權利要求1～3中任一項所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含鹵素聚合物具有下述通式(1)的單體單元，

通式(1)

R¹為3價以上的烴基，X各自獨立地為鹵素，n為1以上的整數。

6.如權利要求4所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含鹵素聚合物具有下述通式(1)的單體單元，

通式(1)

R¹為3價以上的烴基，X各自獨立地為鹵素，n為1以上的整數。

7.如權利要求1～3中任一項所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含鹵素聚合物具有下述通式(2)的單體單元，

通式(2)

R²、R³、R⁴各自獨立地選自1價的烴基、鹵素取代烴基、氫、鹵素，X為鹵素。

8.如權利要求4所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含鹵素聚合物具有下述通式(2)的單體單元，

通式(2)

R²、R³、R⁴各自獨立地選自1價的烴基、鹵素取代烴基、氫、鹵素，X為鹵素。

9.如權利要求1～3中任一項所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述CaSi₂的平均粒徑在0.1～50μm的范圍內。

10.一種碳被覆硅材料的制造方法，包括將通過權利要求1～9中任一項所述的制造方法得到的碳被覆硅材料進一步用碳被覆的追加碳被覆工序。

11.如權利要求10所述的碳被覆硅材料的制造方法，包括在所述追加碳被覆工序之前將碳被覆硅材料的至少一部分的碳除去的碳除去工序。

12.一種二次電池的制造方法，包括使用通過權利要求1～11中任一項所述的制造方法得到的碳被覆硅材料制造負極的工序。