[發明專利]半導體元件的制造方法在審
| 申請號： | 201580045314.6 | 申請日： | 2015-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN106716600A | 公開（公告）日： | 2017-05-24 |
| 發明（設計）人： | 若林直木;川崎輝尚 | 申請（專利權）人： | 住友重機械工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/268;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 廣州三環專利代理有限公司44202 | 代理人： | 溫旭,郝傳鑫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 制造 方法 | ||
1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，具有：
在由碳化硅制成的基板的第1表面上形成含有選自由鈦、鎢、鉬及鉻構成的組中的至少一種金屬的金屬膜的工序；及
對所述金屬膜照射波長為330nm～370nm范圍內的脈沖激光束，使得在所述基板與所述金屬膜之間的界面產生硅化反應，從而形成金屬硅化物膜的工序，
所述金屬膜的厚度為30nm以上，所述脈沖激光束的脈沖寬度在20ns～200ns的范圍內，并且以滿足如下條件的方式選擇能量密度，即所述金屬膜的表面的最高到達溫度不超過所述金屬膜的熔點且所述金屬膜與所述基板之間的界面的最高到達溫度成為所述金屬膜的硅化反應溫度以上。
2.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，
所述金屬膜由鈦形成，
所述金屬膜的厚度在70nm～100nm的范圍內。
3.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，
所述金屬膜由鈦形成，
所述金屬膜的厚度在100nm～150nm的范圍內，
所述脈沖激光束的脈沖寬度在50ns～200ns的范圍內。
4.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，
所述金屬膜由選自由鎢、鉬及鉻構成的組中的一種金屬形成，
所述金屬膜的厚度在70nm～150nm的范圍內。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，
所述脈沖激光束為選自由Nd：YAG激光、Nd：YLF激光、Nd：YVO4激光、Yb：YAG激光、Yb：YLF激光及Yb：YVO4激光構成的組中的一種固體激光的三次諧波。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
