[發明專利]用于制造導電多襯底堆疊的方法

在審

• 申請號: 201580045190.1
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN106796932A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: T.馬蒂亞斯
• 申請（專利權）人: EV集團E·索爾納有限責任公司
• 主分類號: H01L25/04
• 分類號: H01L25/04;H01L31/043
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 盧江,劉春元

1.一種用于由一個波長敏感的半導體襯底（2）和至少一個另外的波長敏感的半導體襯底（2'，2''）制造多襯底堆疊的方法，具有以下步驟：

-將至少分段地導電的介電層（3，3'）施加到所述半導體襯底（2，2'，2''）中的至少一個半導體襯底的至少一個襯底表面（2o，2o'，2o''，2u，2u'，2u''）上；以及

-將該半導體襯底（2）與所述另外的半導體襯底（2'，2''）接觸并且構造所述半導體襯底（2，2'，2''）之間的導電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其中每個半導體襯底（2，2'，2''）具有n型摻雜層和p型摻雜層，其中相鄰的半導體襯底（2，2'，2''）分別以n型摻雜層與相鄰的半導體襯底（2，2'，2''）的p型摻雜層鄰接。

3.根據權利要求1或2之一所述的方法，其中所述介電層（3，3'）通過溶膠-凝膠過程被構造為基質復合材料，尤其是被構造為被摻入導電顆粒、優選地納米顆粒的陶瓷層、優選地氧化硅層。

4.根據權利要求1或2之一所述的方法，其中所述介電層（3，3'）通過至少分段地施加納米顆粒并且緊接著通過自然氧化物使所述介電層（3，3'）氧化來產生。

5.根據前述權利要求之一所述的方法，其中所述半導體襯底（2，2'，2''）被構造為太陽能電池。

6.根據前述權利要求之一所述的方法，其中所述半導體襯底（2，2'，2''）被構造為在尤其是至少部分地、優選地主要地、更優選地完全地不同的波長范圍內波長敏感的。

7.根據前述權利要求之一所述的方法，其中所述介電層（3，3'）分別被施加到兩個相對的襯底表面（2o，2o'，2o''，2u，2u'，2u''）上。

8.根據前述權利要求之一所述的方法，其中所述半導體襯底（2，2'，2''）的尤其是純機械的對準在接觸之前或期間在沒有光學裝置的情況下和/或在沒有所述半導體襯底（2，2'，2''）上的光學對準標記的情況下進行。

9.根據前述權利要求之一所述的方法，其中在所述半導體襯底（2，2'，2''）接觸之后或期間在所述半導體襯底（2，2'，2''）之間構造尤其是持久的接合、優選地直接接合或熔融接合。

10.根據前述權利要求之一所述的方法，其中所述半導體襯底（2，2'，2''）具有用于導電地連接所述半導體襯底（2，2'，2''）中的每個半導體襯底的分別彼此背離的襯底表面（2o，2o'，2o''，2u，2u'，2u''）的導電的貫通部（4）。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述介電層（3，3'）僅僅分段地在所述貫通部（4）處被構造為具有導電的接觸部位（5）。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述接觸部位（5）被構造為具有直徑D，所述直徑與在接觸期間的平均對準誤差f至少一樣大，優選地大于在接觸期間的平均對準誤差f。

13.一種多襯底堆疊，該多襯底堆疊由一個尤其是波長敏感的半導體襯底（2）和至少一個另外的尤其是波長敏感的半導體襯底（2’，2''）構成，該多襯底堆疊具有在所述半導體襯底（2，2'，2''）中的至少一個半導體襯底的至少一個襯底表面（2o，2o'，2o''，2u，2u'，2u''）上的至少分段地導電的介電層（3，3'）、以及所述半導體襯底（2，2'，2''）之間的通過該半導體襯底（2）與所述另外的半導體襯底（2'，2''）的接觸所建立的導電連接。