[發明專利]加壓單元在審
| 申請號: | 201580045120.6 | 申請日: | 2015-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN106605296A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 松林良 | 申請(專利權)人: | 新電元工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52 |
| 代理公司: | 上海德昭知識產權代理有限公司31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
| 地址: | 日本國東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加壓 單元 | ||
技術領域
本發明涉及一種加壓單元是在:通過一對加熱部對經由金屬粒子漿(Paste)將電子部件載置在基板后的組件進行加壓并加熱從而對金屬粒子漿進行燒制時使用的。
背景技術
在電子產品的技術領域中,通過燒制后的金屬粒子漿將基板與電子部件接合的接合體已被普遍認知。作為這樣的接合體的具體例子,可以列舉的是:一種通過燒制后的金屬粒子漿將形成有導線分布圖的基板與半導體元件接合后的半導體裝置(例如,參照專利文獻1)。
這里,將使用附圖對上述接合體進行說明。接合體10如圖1所示,包括:基板1、電子部件2、以及燒制后的金屬粒子漿3。
基板1例如為形成有導線分布圖的基板。
電子部件2例如為半導體元件。
燒制后的金屬粒子漿3為后述燒制后的金屬粒子漿4。
另外,關于基板1、電子部件2、以及燒制后的金屬粒子漿3,將在愛后述實施方式一中進行詳細說明。
以往,上述接合體10例如通過以下方法來制造。
首先,如圖7所示,準備組件20(第一工序)。
組件20為通過金屬粒子漿4將電子部件2配置在基板1后的組件。
接著,如圖8所示,將組件20配置在一對加熱部(加熱板)1000、1002之間(第二工序)。在這里所述的接合體的制造方法中,由于加熱部1000位于下側,因此組件20是配置在加熱部1000的上方面。
一對加熱部1000、1002被配置在相互對向的位置上,并且被通過未圖示的加熱構造加熱。另外,一對加熱部1000、1002還通過未圖示的加熱構造部,通過使加熱部1002向加熱部1000移動從而能夠一對加熱部1000、1002之間夾持的物體進行加壓。
然后,如圖9所示,使加熱部1002向加熱部1000移動,并且通過一對加熱部1000、1002對組件20進行加壓并加熱從而對金屬粒子漿4進行燒制,從而來制造接合體10(參照圖1)(第三工序)。
根據以往的接合體的制造方法,依靠通過一對加熱部1000、1002對組件20進行加壓并加熱從而對金屬粒子漿4進行燒制,就能夠將基板1與電子部件2接合。
【先行技術文獻】
【專利文獻1】特開2012-9703號公報
然而,在以往的接合體的制造方法中,在通過一對加熱部1000、1002對組件20進行加壓并加熱前,熱量就已傳導給了金屬粒子漿4,導致金屬粒子漿4有可能部分引發燒結反應(固化反應)。而一旦金屬粒子漿4部分引發燒結反應,則燒制后的金屬粒子漿3的密度和強度就有可能不充分,其結果就是,有可能會降低基板1與電子部件2之間的接合性。
再有,為了抑制金屬粒子漿部分引發燒結反應,可以想到的是:在配置組件時先將加熱部冷卻,在利用加熱部對組件加壓后再對加熱部加熱。但是,由于對加熱部進行加熱以及冷卻均需要耗費時間,因此如果每次在配置組件時都要先改變溫度,就有可能會導致組件的生產效率的顯著降低。
因此,鑒于上述問題,本發明的目的是提供一種用于接合體的制造方法的加壓單元,其能夠抑制基板與電子部件之間降低接合性,并且,能夠防止接合體生產效率顯著下降。
發明內容
本發明的發明人鑒于上述課題,已發明出了一種接合體的制造方法,其能夠抑制基板與電子部件之間接合性的降低,并且,能夠防止接合體生產效率的顯著下降。
該接合體的制造方法簡單來說,就是:通過加壓單元對組件加壓并加熱(參照后述的各個實施方式,特別是實施方式一)。根據該接合體的制造方法,由于使用加壓單元,因此能夠抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿,從而就能夠獲得上述效果。
本發明是涉及:用于上述接合體的制造方法的加壓單元的發明,并且由以下要素所構成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于新電元工業株式會社,未經新電元工業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580045120.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:磁鐵材料、永久磁鐵、電動機、以及發電機
- 下一篇:半導體裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





