[發明專利]利用脈沖二氧化碳激光器熱處理硅酸鹽層

在審

• 申請號: 201580045057.6
• 申請日: 2015-08-20
• 公開（公告）號: CN107074640A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: H·L·耶特爾
• 申請（專利權）人: 4JET精密技術有限兩合公司
• 主分類號: C03C23/00
• 分類號: C03C23/00
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 鄭勇

1.包括材料層(102)和襯(104)的材料夾層(100)的材料層(102)的熱處理的方法，襯(104)包括硅氧化合物且材料層(102)包括硅氧化合物，所述方法包括：

利用二氧化碳激光器(112)的脈沖激光束(114)照射材料層(102)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中襯(104)是一玻璃襯和/或材料層(102)是硅酸鹽層。

3.包括材料層(102)和襯(104)的材料夾層(100)的材料層(102)的熱處理的方法，其中熱處理提高材料層的耐磨性，襯(104)為玻璃襯并且包括硅氧化合物，以及材料層(102)為抗反射層并包括硅氧化合物，所述方法包括：

利用二氧化碳激光器(112)的脈沖激光束(114)照射材料層(102)。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中材料層(102)是由溶膠-凝膠工藝形成的多孔層。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中執行照射以選擇性地加熱材料層(102)和襯104的襯部分(116)，襯部分(116)朝向材料層(102)。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中脈沖激光束(114)的脈沖持續時間是約在0.01微秒至5微秒之間，尤其是在0.1至1微秒之間。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中在材料層(102)的表面(120)的脈沖激光束(114)的單激光脈沖的區域能量密度是在25毫焦/平方厘米至1000毫焦/平方厘米之間，尤其是在50毫焦/平方厘米至500毫焦/平方厘米之間。

8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，進一步包括：利用橫向地激勵且間歇地泵浦的二氧化碳激光器(112)產生脈沖激光束(114)。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，進一步包括：利用Q開關持續地泵浦的二氧化碳激光器(112)產生脈沖激光束(114)。

10.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中材料層(102)是材料夾層(100)的表面層。

11.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中脈沖激光束(114)適配為將抗反射層加熱至少至在400攝氏度與500攝氏度之間的范圍的溫度。

12.脈沖二氧化碳激光器(112)對材料夾層(100)的材料層(102)進行熱處理的用途，尤其是根據權利要求1-11任一項所述方法的對材料層(102)的熱處理，其中材料夾層(100)包括材料層(102)和襯(104)，其中襯(104)包括硅氧化合物且材料層(102)包括硅氧化合物。

13.用于熱處理的設備(110)，尤其是根據權利要求1-11中任一所述方法的對材料夾層(100)的材料層(102)進行的熱處理，材料夾層(100)包括材料層(102)和襯(104)，其中襯(104)包括硅氧化合物且材料層(102)包括硅氧化合物，所述設備包括：

二氧化碳激光器(112),配置為用于產生脈沖激光束(114)，進而利用脈沖激光束(114)照射材料夾層(100)的材料層(102)，從而完成對材料層(102)的熱處理。

14.以計算機程序形式或以包括該計算機程序的計算機可讀介質形式的計算機程序產品，所述計算機程序配置為用于，當在數據處理器設備(138)上執行時，控制根據權利要求1-11中任一所述的方法。