[發明專利]具有介電常數設計的原位電荷捕獲材料的高溫靜電夾盤

有效

• 申請號: 201580044951.1
• 申請日: 2015-07-07
• 公開（公告）號: CN106663652B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: P·K·庫爾施拉希薩;K·D·李;金柏涵;Z·J·葉;S·P·貝赫拉;G·巴拉蘇布拉馬尼恩;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;J·J·陳
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/324
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種基板支撐組件，包括：

盤形的陶瓷主體，具有上表面、圓柱形側壁及下表面，所述上表面配置為在真空處理腔室中將基板支撐于所述上表面上，所述圓柱形側壁界定所述陶瓷主體的外徑，所述下表面被設置成與所述上表面相對；

電極，設置在所述陶瓷主體中；以及

含硅和碳的層，附著于所述上表面并將所述上表面完全覆蓋且被配置成接觸支撐于所述上表面上的所述基板，所述含硅和碳的層在重量上具有少于5％的碳含量且包含摻雜有含碳材料的硅系材料。

2.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述電極配置為將所述基板靜電固定于所述陶瓷主體的所述上表面。

3.如權利要求2所述之基板支撐組件，進一步包含：

加熱器電極，設置在所述陶瓷主體中。

4.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述含硅和碳的層進一步包含至的厚度。

5.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述含硅和碳的層包括單獨沉積的摻雜有含碳材料的硅系材料的層。

6.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述含硅和碳的層具有至少100MV/cm的擊穿電壓。

7.如權利要求6所述的基板支撐組件，其中其上有所述含硅和碳的層的所述陶瓷主體在300攝氏度和800攝氏度之間的溫度下時在500VDC下具有小于10mA的電流泄漏率。

8.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述含硅和碳的層包括：

至少一層原位沉積的層，所述至少一層原位沉積的層具有介于至之間的厚度。

9.如權利要求8所述的基板支撐組件，其中所述含硅和碳的層具有至少100MV/cm的擊穿電壓。

10.如權利要求9所述的基板支撐組件，其中所述含硅和碳的層在300攝氏度和700攝氏度之間的溫度下和在500VDC下具有小于10mA的電流泄漏率。

11.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述含硅和碳的層在300攝氏度下具有小于25mA的500VDC下的電流泄漏率。