[發(fā)明專利]二維光子晶體面發(fā)射激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580044945.6
• 申請(qǐng)日: 2015-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN106663918B
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野田進(jìn);北川均;梁永;渡邊明佳;廣瀨和義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)立大學(xué)法人京都大學(xué);羅姆股份有限公司;浜松光子學(xué)株式會(huì)社;三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/18
• 分類號(hào): H01S5/18;H01S5/10
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 劉慧群

1.一種二維光子晶體面發(fā)射激光器，其具有：在板狀的母材上將折射率與該母材不同的異折射率區(qū)域周期性地配置為二維狀而成的二維光子晶體；設(shè)置于所述二維光子晶體的一側(cè)的活性層；和夾著所述二維光子晶體以及所述活性層而設(shè)置的、向該活性層供給電流的具有導(dǎo)電體的第1電極以及覆蓋與該第1電極相同或比該第1電極更大的范圍的第2電極，

所述二維光子晶體面發(fā)射激光器的特征在于，

該第1電極形成為：所述導(dǎo)電體形成為網(wǎng)格狀，網(wǎng)格的粗度或間隔根據(jù)該第1電極的面內(nèi)位置而不同，由此所述導(dǎo)電體在該網(wǎng)格內(nèi)的面積比根據(jù)位置而不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維光子晶體面發(fā)射激光器，其特征在于，

所述第1電極形成為以在面內(nèi)位置的中心具有最高密度的分布向所述活性層供給電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二維光子晶體面發(fā)射激光器，其特征在于，

所述網(wǎng)格的線的間隔為所述活性層中的面內(nèi)方向的電流分散范圍的1.4倍以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二維光子晶體面發(fā)射激光器，其特征在于，

所述第1電極具有所述導(dǎo)電體在網(wǎng)格內(nèi)的面積比彼此不同的多個(gè)區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二維光子晶體面發(fā)射激光器，其特征在于，

隨著從所述第1電極的面內(nèi)位置的中心遠(yuǎn)離，所述多個(gè)區(qū)域各自的所述面積比逐漸減小。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二維光子晶體面發(fā)射激光器，其特征在于，

所述第1電極當(dāng)中的包含所述中心的區(qū)域僅由所述導(dǎo)電體構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二維光子晶體面發(fā)射激光器，其特征在于，

所述第1電極的所述導(dǎo)電體在網(wǎng)格內(nèi)的面積比根據(jù)位置而連續(xù)地變化。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二維光子晶體面發(fā)射激光器，其特征在于，

隨著從所述第1電極的面內(nèi)位置的中心遠(yuǎn)離，所述導(dǎo)電體在所述網(wǎng)格內(nèi)的面積比逐漸減小。

9.一種二維光子晶體面發(fā)射激光器，其具有：在板狀的母材上將折射率與該母材不同的異折射率區(qū)域周期性地配置為二維狀而成的二維光子晶體；設(shè)置于所述二維光子晶體的一側(cè)的活性層；和夾著所述二維光子晶體以及所述活性層而設(shè)置的、向該活性層供給電流的具有導(dǎo)電體的第1電極以及覆蓋與該第1電極相同或比該第1電極更大的范圍的第2電極，

所述二維光子晶體面發(fā)射激光器的特征在于，

所述第1電極具有配置為同心圓狀的多個(gè)環(huán)狀導(dǎo)電體和將所述環(huán)狀導(dǎo)電體彼此電連接的連接部，

所述環(huán)狀導(dǎo)電體的寬度以及/或者間隔根據(jù)距中心的距離而不同。