[發明專利]諧振器電路

有效

• 申請號: 201580044943.7
• 申請日: 2015-01-27
• 公開（公告）號: CN106664059B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 米娜·沙赫莫哈馬迪;馬蘇德·巴貝耶;羅伯特·斯塔澤夫斯基
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種諧振器電路(100)，所述諧振器電路(100)包括變壓器(101)，所述變壓器包括初級繞組(103)和次級繞組(105)，其中所述初級繞組(103)以電感方式與所述次級繞組(105)耦合，初級電容器(107)連接到所述初級繞組(103)，所述初級電容器(107)和所述初級繞組(103)形成初級電路，且次級電容器(109)連接到所述次級繞組(105)，所述次級電容器(109)和所述次級繞組(105)形成次級電路，其中所述諧振器電路(100)具有在所述初級電路在共模中受激勵時的共模諧振頻率，其中所述諧振器電路(100)具有在所述初級電路在差模中受激勵時的差模諧振頻率，且其中所述共模諧振頻率不同于所述差模諧振頻率。

技術領域

本發明涉及射頻(radio frequency，RF)諧振器電路的領域。

背景技術

還表示為槽電路的諧振器電路廣泛用作多種射頻組件中的頻率選擇性元件，例如濾波器、放大器以及振蕩器。通常，諧振器電路包括電感器和電容器，其中所述電感器和電容器連接以在特定諧振頻率下諧振。諧振器電路的質量由此表征為質量因數。諧振器電路的特性在射頻振蕩器的設計中受到主要關注，尤其是在所述射頻振蕩器實施為半導體襯底上的射頻集成電路(radio frequency integrated circuit，RFIC)時。具體來說，諧振器電路關于泄漏電流或在諧波頻率下的電流的響應可對射頻振蕩器的頻率穩定性和相位噪聲性能具有主要影響。

普通諧振器電路在諧振頻率下受激勵時呈現電阻特性，而在高于諧振頻率的頻率下受激勵時呈現電容特性。因此，高階電流分量結合Groszkowski效應可導致射頻振蕩器的頻率穩定性降低和閃爍噪聲上變頻增加，即減少的近載波相位噪聲性能。

為了改進射頻振蕩器的相位噪聲性能，應用噪聲濾波技術。這些技術依賴于在例如核心晶體管等的晶體管的共同源極中插入具有處于2ω₀的諧振頻率的另一諧振器電路。然而，這些技術會使用額外可調電感器并增加半導體襯底上的裸片面積。

為了減少高階漏極電流諧波的量，添加與晶體管的源極串聯的電阻器以用于線性化晶體管的操作。然而，通常會減少射頻振蕩器啟動改正力。

通過添加與晶體管的漏極串聯的電阻器，電阻結合寄生漏極電容可在環路增益中引入延遲，延遲用于使射頻振蕩器的脈沖敏感函數(impulse sensitivity function，ISF)和電流波形兩者偏移。通過具體地定制分量值來減少閃爍噪聲上變頻。然而，20dB/decade區域中的相位噪聲性能尤其在低電源電壓和高電流消耗下降級。

在J.格羅斯科夫斯基(J.Groszkowski)的“頻率變化和諧波含量的互相依賴性，以及恒定頻率振蕩器的問題(The interdependence of frequency variation andharmonic content,and the problem of constant-frequency oscillators)”(無線電工程師協會會刊(Proc.IRE)，第21卷第7期第958至981頁，1934年7月)中研究了Groszkowski效應。

在M.巴比(M.Babaie)和R.B.史塔茲絲克(R.B.Staszewski)的“F類CMOS振蕩器(Aclass-F CMOS oscillator)”(電子和電子工程師協會固態電路期刊(IEEE JSSC)，第48卷第12期第3120至3133頁，2013年12月)中描述了諧振器電路和射頻振蕩器。

發明內容

本發明的目標是提供一種高效諧振器電路。

此目標通過獨立權利要求的特征實現。另外的實施形式根據從屬權利要求、說明書以及圖式是顯而易見的。