[發明專利]晶片級無源器件的集成

有效

• 申請號: 201580044816.7
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN106605298B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 翟軍
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L25/16;H01L21/60;H01G4/40
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 馮薇

1.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

將位于第一半導體基板的上表面上的第一金屬覆膜耦合到位于集成電路的有源表面上的第二金屬覆膜，其中所述集成電路包括功耗型半導體器件，并且所述第一半導體基板包括所述第一半導體基板中的第一類型無源器件和形成在所述第一半導體基板上的第一組互連器，其中第一類型無源器件中的至少一些位于所述第一半導體基板的所述上表面處，并且直接附接到所述第一半導體基板的所述上表面上的所述第一金屬覆膜中的至少一些，所述第一金屬覆膜還耦合到所述第一組互連器中的至少一些，并且其中所述第二金屬覆膜包括對應于所述第一金屬覆膜的圖案的圖案；

移除所述第一半導體基板中的至少一些以使所述第一組互連器中的至少一些暴露在所述第一半導體基板的下表面上；

在所述第一半導體基板的所述下表面上形成第三金屬覆膜；

將位于第二半導體基板的上表面上的第四金屬覆膜耦合到位于所述第一半導體基板的所述下表面上的所述第三金屬覆膜，其中所述第二半導體基板包括所述第二半導體基板中的第二類型無源器件和形成在所述第二半導體基板上的第二組互連器，所述第四金屬覆膜耦合到所述第二類型無源器件中的至少一些和所述第二組互連器中的至少一些，其中所述第四金屬覆膜包括對應于所述第三金屬覆膜的圖案的圖案，并且其中第一類型無源器件和第二類型無源器件是不同類型的無源器件，第一類型無源器件包括電感器，且第二類型無源器件包括電容器；以及

移除所述第二半導體基板中的至少一些以使所述第二組互連器中的至少一些暴露在所述第二半導體基板的下表面上。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括將第五金屬覆膜耦合在所述第二半導體基板的所述下表面上，其中所述第五金屬覆膜利用所述第一組互連器中的至少一個互連器和所述第二組互連器中的至少一個互連器耦合到所述集成電路。

3.根據權利要求1所述的方法，其中移除所述第一半導體基板中的至少一些使所述第一類型無源器件中的至少一些暴露在所述第一半導體基板的所述下表面上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中移除所述第二半導體基板中的至少一些使所述第二類型無源器件中的至少一些暴露在所述第二半導體基板的所述下表面上。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述有源表面包括到所述集成電路中的有源電路的端子，所述方法還包括形成耦合到所述集成電路的所述有源表面上的所述第二金屬覆膜的一個或多個柱，其中所述柱位于所述第一半導體基板耦合到所述第二金屬覆膜的位置的周邊，其中所述柱提供到所述集成電路的輸入/輸出端子的直接連接，并且其中所述有源表面上的端子包括所述輸入/輸出端子和用于使用第一類型無源器件和/或第二類型無源器件的到所述集成電路的電壓調節連接的端子。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在將所述第一半導體基板中的至少一些移除時，將所述柱的一部分移除，并且所述方法還包括在將所述第一半導體基板中的至少一些和所述柱的所述一部分移除之后，形成耦合到所述柱的柱延伸部。