[發明專利]保護晶體管元件免受劣化物質的損害

在審

• 申請號: 201580044802.5
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN106796946A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: J·瓊曼;A·韋爾納;J·迪內爾特;K·紐曼恩;S·瑞德爾
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/00;H01L51/05
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 申發振

1.一種方法，包括：提供層的堆疊，所述堆疊至少限定了至少一個晶體管的(a)源電極和漏電極、(b)柵電極和(c)半導體溝道；將一個或多個有機絕緣層淀積在所述堆疊上方；通過消蝕技術去除一個多個所選區域中的所述堆疊的至少部分；將導體材料淀積在至少在一個或多個經消蝕的區域以及緊密圍繞相應的經消蝕的區域的一個或多個邊界區域中的堆疊上方；以及將無機絕緣材料淀積在至少在經消蝕的區域以及邊界區域中的堆疊上方，從而覆蓋經消蝕的區域并且與相應的經消蝕的區域四周的所述一個或多個邊界區域中的所述導體材料直接接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，包括圖案化所淀積的所述無機絕緣物以形成所述無機絕緣材料的島，每個島都在相應的經消蝕的區域及其周圍的邊界區域上方延伸。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中所淀積的所述導體材料提供了最上面的導體層，該導體層通過所述堆疊導電性地連接到一個或多個晶體管的一個或多個漏電極。

4.根據權利要求1到3中的任意一個所述的方法，進一步包括在所述堆疊上方設置光學介質組件，其中所淀積的所述導體材料形成與所述光學介質組件最近的導體，該導體與所述堆疊在光學介質組件的同一側。

5.根據權利要求1到3中的任意一個所述的方法，包括通過原子層淀積來淀積所述無機絕緣材料。

6.根據權利要求1到5中的任意一個所述的方法，其中所淀積的無機絕緣材料具有比所述一個或多個有機絕緣層低的水蒸氣透過率。

7.一種方法，包括：提供層的堆疊，所述堆疊至少限定了至少一個晶體管的(a)源電極和漏電極、(b)柵電極、(c)半導體溝道，以及至少在至少一個半導體溝道之上的無機絕緣材料的連續的層；將一個或多個有機絕緣層淀積在所述堆疊上方；去除一個或多個所選區域中至少包括所述一個或多個有機絕緣層和所述無機絕緣材料的所述堆疊的至少部分；至少在一個或多個經消蝕的區域中將導體材料淀積在所述堆疊上方以至少接觸所述無機絕緣層以下通過去除步驟所暴露的所述堆疊的全部部分。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所淀積的所述導體材料提供了一個或多個像素導體，每個像素導體都導電性地連接到所述堆疊內的相應的漏電極以控制上覆的光學介質的相應的部分。

9.根據權利要求7或權利要求8所述的方法，其中所淀積的無機絕緣材料具有比所述一個或多個有機絕緣層低的水蒸氣透過率。

10.一種方法，包括：提供層的堆疊，所述堆疊限定了晶體管陣列的(a)源電極-漏電極、(b)柵電極和(c)半導體溝道中的至少一個；將一個或多個有機絕緣層淀積在所述堆疊上方；以及將阻擋物淀積在所述一個或多個有機絕緣層上方；其中所述阻擋物包括(i)一個或多個經圖案化的導體材料層以及(ii)至少在所述一個或多個經圖案化的導體材料層不覆蓋在所述一個或多個有機絕緣層上的區域中的經圖案化的絕緣體材料層；并且在所述經圖案化的導體材料層覆蓋在所述一個或多個有機絕緣層上的區域中，也在所述經圖案化的導體材料層不覆蓋在所述一個或多個有機絕緣層上的區域中，所述阻擋物都具有比所述一個或多個有機絕緣層低的水蒸氣透過率。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述層的堆疊限定了所述晶體管陣列的所述源電極-漏電極、柵電極和半導體溝道中的全部，并且所述一個或多個經圖案化的導體材料層包括限定用于所述晶體管陣列的像素導體陣列的導體層。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述層的堆疊限定了所述源電極-漏電極和所述半導體溝道兩者；以及其中所述一個或多個經圖案化的導體材料層包括限定了用于所述晶體管陣列的柵電極的經圖案化的層和限定了用于所述晶體管陣列的像素導體陣列的經圖案化的層。

13.根據權利要求11所述的方法，其中淀積阻擋物包括：將所述絕緣體材料淀積在所述一個或多個有機絕緣層上方；至少圖案化所淀積的絕緣體材料和所述一個或多個有機絕緣層以限定暴露所述堆疊中的一個或多個導體的通孔；將所述導體材料淀積在經圖案化的層上方以生成與所述一個或多個暴露的導體接觸的導體層；以及圖案化所述導體層以去除所選區域中所淀積的金屬并且限定所述像素導體陣列，其中每個像素導體都與所述堆疊中相應的導體接觸。