[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580044665.5 | 申請日： | 2015-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN106575688B | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂煥國 | 申請（專利權(quán)）人： | LG電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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