[發明專利]鈀鍍液和使用該鈀鍍液得到的鈀覆膜有效
| 申請號: | 201580044246.1 | 申請日: | 2015-08-26 | 
| 公開(公告)號: | CN106661735B | 公開(公告)日: | 2019-12-10 | 
| 發明(設計)人: | 清原歡三;柴田和也;大須賀隆太;中川裕介;大久保祐彌 | 申請(專利權)人: | 日本高純度化學株式會社 | 
| 主分類號: | C23C18/44 | 分類號: | C23C18/44;C23C18/52;C25D3/50 | 
| 代理公司: | 11127 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龐東成;褚瑤楊 | 
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈀鍍液 使用 得到 鈀覆膜 | ||
本發明的課題在于提供一種鈀鍍液,其中,減少在鈀覆膜上產生的針孔等不良部的產生,即使將形成在鈀覆膜上的金鍍膜薄膜化,也能夠得到與以往的金鍍膜同等的耐熱性能,利用鈀鍍液以及鈀覆膜解決了課題,所述鈀鍍液含有作為鈀源的可溶性鈀鹽和特定吡啶鎓化合物,所述特定吡啶鎓化合物在1位氮原子上鍵合有烷基,2位至6位的1個至5個由選自由烷基、芳基、羧基、烷氧基羰基、磺基、烷氧基磺酰基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基和氰基組成的組中的1種或2種以上的特定取代基取代,所述鈀覆膜是通過使用該鈀鍍液,在鎳、鎳合金、銅或銅合金的覆膜上進行鈀鍍覆而得到的。
技術領域
本發明涉及一種具有特定組成的鈀鍍液、使用該鈀鍍液得到的鈀覆膜(皮膜),以及特別涉及一種在鎳、鎳合金、銅或銅合金覆膜上的鈀覆膜。
背景技術
貴金屬鍍層、特別是金鍍層具有優異的耐腐蝕性、機械特性、電機特性等,因此被廣泛使用。特別是對于施加在鎳覆膜上的金鍍層而言,金具有優異的耐腐蝕性、機械特性、電機特性等,鎳作為基底金屬具有優異的耐熱性等,因此在電子電氣部件等領域被廣泛使用。
近年來,為了降低生產成本,提出了將金覆膜薄膜化來降低成本,并通過在鎳與金之間形成比金便宜的鈀覆膜來補償由于金覆膜薄膜化導致的耐熱性等覆膜物性不足的方法,并進行實用化。
但是,存在有時在所形成的鈀覆膜上產生針孔等不良部、無法得到所期待的耐熱性等覆膜物性的問題。
為了解決該問題,專利文獻1中公開了一種鈀鍍液,其中,將鍍敷浴的pH調節為5~10,在絡合劑中合用胺化合物和氨,且鈀鍍液中配混有含有2價硫的有機化合物,并公開了下述內容:使用專利文獻1的鈀鍍液進行鍍膜加厚的情況下,該鍍膜的外觀特別良好,能夠得到裂紋少的鍍膜。
此外,專利文獻2中公開了下述內容,合用分子量300~100000的高分子聚乙亞胺和不飽和烷基胺的無電解鍍鈀鍍液的浴穩定性優異,且能夠減少或防止所得到的鈀鍍層中產生的內部應力,并且能夠形成均勻且致密的覆膜。
此外,專利文獻3中公開了下述內容,對于將鈀化合物、選自次磷酸及其鹽的還原劑或選自甲酸和甲酸鹽的還原劑合用,且由選自胺類的絡合劑和選自無機硫化合物的浴穩定劑構成的鍍液而言,鍍覆注入時間得以改善,作為無電解鍍鈀-磷鍍液的擔心事項的鍍覆不均得以改善,能夠抑制鈀鍍覆時的鎳溶出量,對于析出的鈀覆膜而言,作為無電解純鈀覆膜的課題的高熔點錫焊安裝后的金-鈀之間的熱擴散得以改善。
但是,在這些現有技術中,進一步將金薄膜化,抑制高價的金的使用量,實現成本降低,同時另一方面,對于維持具有穩定的耐熱性能的覆膜物性而言尚不充分,需要進一步的改良。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開昭62-124280號公報
專利文獻2:日本特開平5-039580號公報
專利文獻3:日本特開2010-261082號公報
發明內容
發明所要解決的課題
本發明是鑒于上述背景技術而完成的,其課題在于提供一種鈀鍍液,其中,減少在鈀覆膜上產生的針孔等不良部的產生,即使將形成在鈀覆膜上的金鍍膜薄膜化,也能夠得到與利用以往的金鍍覆膜厚形成的金鍍膜同等的耐熱性能。
用于解決課題的手段
為了解決上述課題,本發明人反復認真研究,結果發現若使用含有特定的吡啶鎓化合物作為必要成分的鈀鍍液來形成鈀覆膜,則能夠克服前期問題,從而解決上述課題,在維持鈀/金鍍膜所要求的耐熱特性的狀態下,實現該金膜厚的大幅薄膜化,能夠大幅降低生產成本,從而完成了本發明。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





