[發明專利]用于處理半導體處理設備排放物的控制器

在審

• 申請號: 201580044209.0
• 申請日: 2015-08-17
• 公開（公告）號: CN106605451A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 羅納德·維恩·肖爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/3065
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

背景

技術領域

本公開內容的實施方式一般地涉及半導體處理裝置。尤其是，本公開內容的實施方式涉及一種用于處理半導體工藝中所產生的化合物的控制器。

背景技術

半導體處理中所使用的工藝氣體包括多種可存在危險的化合物。來自這些處理設施的排放物可含有這些危險化合物或其它有害副產物，由于法規要求和/或環境與安全考慮，必須在棄置(disposal)前處理該排放物。在這些化合物中存在全氟碳化物(perfluorocarbons；PFCs)，例如用于蝕刻工藝中的全氟碳化物。因此，現代工藝設備包含用于工藝設備中所產生的危險排放物的處理技術。

電感耦合等離子體(inductively coupled plasma；ICP)源以及其它試劑已用于處理PFC及其它全球變暖氣體。由ICP等離子體源所產生的等離子體離解(dissociate)這些化合物，且離解氣體反應以形成減輕危險的物質。然而，為了將危險化合物有效處理成更小危險成分，預處理及消除技術與方法已變得更加復雜。當前消除技術在處理沉積工藝中所使用及產生的某些類型氣體及顆粒物質方面具有困難，這些氣體及顆粒物質諸如由工藝產生的絕緣或導電物質。隨著危險化合物處理變得愈加復雜，對處理工藝的控制也增加復雜性。

對于當前處理技術的控制依賴于市售可程序化邏輯控制器(programmable logic controllers；PLCs)。然而，PLC具有有限的功能且常常僅可沿著非常窄及精確的例行程序(routine)控制處理工藝。若完全“可程序化”，需要至少一些硬件改進及外部邏輯且程序化通常受限于非常簡單的邏輯結構。此外，程序化PLC以提供錯誤報告、系統界面端口及數據登錄在一般工業中為基本上未知的，而由于當前PLC設計的本質，事實上可為不可實行的(諸如在繼電器邏輯實現方式中)。

因此，本領域技術中需要一種用于操作半導體工藝中的處理技術的改良控制器。

發明內容

本文所公開的實施方式包括用于處理半導體處理設備排放物的控制器，以及用于處理由半導體處理系統所產生的危險排放物的方法。

附圖說明

以上簡要概述的本發明的上述具體特征可以被詳細理解的方式、以及本發明更特定描述，可以通過參考實施方式獲得，實施方式中的一些實施方式繪示于附圖中。然而，應注意，附圖僅繪示本發明的典型實施方式，并且因此不應視為對本發明范圍的限制，因為本發明可允許其它等同有效的實施方式。

圖1是具有由控制器管控的排放物預處理系統的半導體處理系統的示意性側視圖。

圖2是排放物預處理系統的示意性俯視圖。

圖3是排放物預處理系統的控制器的方塊圖。

圖4是用于處理由半導體處理系統所產生的危險排放物的方法的流程圖。

為了便于理解，盡可能地使用相同附圖符號標示附圖中共通的相同元件。考慮到，一個實施方式中的元件及特征在沒有進一步地描述下可有益地并入其它實施方式。

具體實施方式

圖1A是具有由控制器100管控的排放物預處理系統120的半導體處理系統170的示意性側視圖。半導體處理系統170包括真空處理腔室190。真空處理腔室190通常經構造以執行至少一個集成電路制造工藝，諸如物理氣相沉積工藝、化學氣相沉積工藝、等離子體輔助(干式)蝕刻工藝、等離子體處理工藝、基板退火工藝、預清洗工藝、離子注入工藝或其它集成電路制造工藝。真空處理腔室190中所執行的工藝可為等離子體輔助工藝。在一個實例中，真空處理腔室190中所執行的工藝可為用于沉積硅基材料的等離子體沉積工藝。在另一實例中，真空處理腔室190中所執行的工藝可為用于在硅基材料中形成諸如溝槽或通孔之類的特征的等離子體輔助蝕刻工藝。

真空處理腔室190具有腔室排氣裝置，該腔室排氣裝置由前級管道(foreline)192耦接至排放物預處理系統120。通過排氣管道194將排放物預處理系統120的排氣裝置耦接至圖1中由單個附圖標號196示意性指示的泵及設備排氣裝置。通常使用泵來抽空真空處理腔室190，而設備排氣裝置通常包括洗滌器或其它排氣清洗裝置以用于使真空處理腔室190的排放物準備好進入大氣。由箭頭110示意性示出排放物的流動。