[發明專利]集成電路單元中的納米線或2D材料帶互連件有效
| 申請號: | 201580044064.4 | 申請日: | 2015-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN106663593B | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | V·莫洛茲;J·卡瓦 | 申請(專利權)人: | 美商新思科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;張昊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 單元 中的 納米 材料 互連 | ||
1.一種計算機系統,用于處理電路設計的計算機實施表示,所述計算機系統包括:
處理器和耦合至所述處理器的存儲器,所述存儲器存儲可由所述處理器執行的指令,包括從單元庫中選擇單元的指令;
所述單元庫包括用于多個單元的實體,所述單元庫中的實體包括計算機可執行語言中的特定單元的規范;以及
所述單元庫中的至少一個實體包括電路的物理結構和定時參數的規范,所述電路包括:
第一晶體管,
第二晶體管,和
局部互連件,在所述單元庫中的所述實體內將所述第一晶體管的端子連接至所述第二晶體管的端子,所述局部互連件包括并行布置的一個或多個納米線或2D材料帶,
其中所述局部互連件的所述一個或多個納米線或2D材料帶包括設置在多個堆疊件中的納米線或2D材料帶的集合,所述集合中的納米線包含適用于互連操作的摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的計算機系統,其中所述局部互連件的所述一個或多個納米線或2D材料帶相對于襯底的表面水平設置。
3.根據權利要求1所述的計算機系統,其中所述第一晶體管所具有的溝道包括并行布置的納米線或2D材料帶的第一集合,并且所述第二晶體管所具有的溝道包括并行布置的納米線或2D材料帶的第二集合。
4.根據權利要求1所述的計算機系統,其中所述第一晶體管被配置用于n溝道操作,并且所述第二晶體管被配置用于p溝道操作。
5.根據權利要求1所述的計算機系統,其中所述一個或多個納米線或2D材料帶中的納米線或2D材料帶具有小于10納米的最小尺寸。
6.根據權利要求1所述的計算機系統,其中所述一個或多個納米線或2D材料帶中的納米線或2D材料帶具有與納米線或2D材料帶的縱軸正交的高度和寬度,并且所述寬度等于或大于所述高度的兩倍。
7.根據權利要求1所述的計算機系統,其中所述第一晶體管所具有的溝道包括并行布置且相對于襯底的表面水平設置的納米線或2D材料帶的第一集合,并且所述第二晶體管所具有的溝道包括并行布置且相對于所述襯底的表面水平設置的納米線或2D材料帶的第二集合,其中所述局部互連件的所述一個或多個納米線或2D材料帶設置在所述襯底的表面與納米線的所述第一集合和所述第二集合之間。
8.根據權利要求1所述的計算機系統,其中所述第一晶體管所具有的溝道包括并行布置且相對于襯底的表面垂直設置的納米線或2D材料帶的第一集合,并且所述第二晶體管所具有的溝道包括并行布置且相對于所述襯底的表面垂直設置的納米線或2D材料帶的第二集合,其中所述局部互連件的所述一個或多個納米線或2D材料帶設置在納米線的所述第一集合和所述第二集合與所述襯底的表面之間。
9.根據權利要求1所述的計算機系統,其中,
所述指令還包括利用所述至少一個實體中的規范來確定所述單元的物理布局的邏輯。
10.一種計算機程序產品,包括:
存儲設備,其上存儲有單元的機器可讀規范,所述單元的規范包括指定電路的物理實施的結構特征的計算機可讀參數,所述規范可由計算機執行,所述計算機運行布局過程以控制所述電路與其他電路或部件的物理布局,所述電路包括:
第一晶體管,
第二晶體管,以及
局部互連件,在所述單元中的所述電路內將所述第一晶體管的端子連接至所述第二晶體管的端子,所述局部互連件包括并行布置的一個或多個納米線或2D材料帶,
其中所述局部互連件的所述一個或多個納米線或2D材料帶包括設置在多個堆疊件中的納米線或2D材料帶的集合,所述集合中的納米線包含適用于互連操作的摻雜濃度。
11.根據權利要求10所述的計算機程序產品,其中所述局部互連件的所述一個或多個納米線或2D材料帶相對于襯底的表面水平設置。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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