[發明專利]多記憶材料及其系統、方法和應用

有效

• 申請號: 201580043733.6
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN106794284B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 穆罕默德·易卜拉欣·可汗;安德魯·尼古拉斯·巴戈特
• 申請（專利權）人: 超智能合金公司
• 主分類號: A61L27/50
• 分類號: A61L27/50;A61C5/42;A61C7/20;A61L27/04;A63B53/04;G02C5/16;A63B102/32
• 代理公司: 北京高文律師事務所 11359
• 代理人: 徐江華

一種設備，用于制造多記憶材料，包括：饋送組件，用于饋送形狀記憶材料；處理站，其與所述饋送組件對準以接納擬處理的形狀記憶材料；至少一個能量源，其與能量源孔對準以向所述形狀記憶材料提供能量；防護氣體供應器，其附接到防護氣體接合部分以提供防護氣體；和控制器，其被構造為根據預定參數控制所述饋送組件、所述防護氣體供應器和所述能量源以形成所述多記憶材料。一種方法，用于制造多記憶材料，包括：通過控制器確定用于所述形狀記憶材料的處理參數；在饋送組件處接納形狀記憶材料；通過所述饋送組件將所述形狀記憶材料饋送到處理站；通過防護氣體供應器將防護氣體提供到所述處理站；基于所述處理參數通過至少一個能量源將能量提供到所述形狀記憶材料，以形成所述多記憶材料。

相關申請

本申請要求2014年7月14日提交的美國臨時專利申請No.62/023,995和2014年9月26日提交的美國臨時專利申請No.62/055,775的優先權，這兩個申請均通過引用并入本文。

技術領域

本公開內容通常涉及多記憶材料和形狀記憶材料的處理。更特別地，本公開內容涉及用于處理或處置形狀記憶材料以形成多記憶材料的方法和系統。

背景技術

通常而言，形狀記憶材料是在較低溫度下具有可塑性并且可被培訓以在較高溫度下保持和返回特定形狀的材料。即使在較低溫度下被彎曲為不同的形狀，所述材料在溫度升高時也會返回到所培訓的形狀。材料恢復到所培訓的高溫構造時的溫度典型地被稱為相變溫度。在這些材料中發生的形狀記憶效應與可逆固態相變相關，其中材料隨溫度變化在奧氏體狀態與馬氏體狀態之間轉變。在馬氏體狀態中，形狀記憶材料變得更易于變形且典型地能夠以幾乎恒定的應力水平適應顯著塑性變形。當形狀記憶材料處于馬氏體狀態中且被加熱時，金屬返回到奧氏體狀態。相變可能在特定溫度發生或在一溫度范圍內發生。

形狀記憶材料可通常分為形狀記憶金屬/合金(SMA)和形狀記憶聚合物(SMP)。許多合金可被處理為形狀記憶材料，包括一些磁性材料和合金。SMA的三種主要類型包括：

1)鎳-鈦(NiTi)

2)銅-鋅-鋁-鎳

3)銅-鋁-鎳

其它SMA包括但不限于以下材料：

1)Ag-Cd 44/49at.％Cd

2)Au-Cd 46.5/50at.％Cd

3)Cu-Al-Ni 14/14.5wt.％Al和3/4.5wt.％Ni

4)Cu-Sn約15at.％Sn

5)Cu-Zn 38.5/41.5wt.％Zn

6)Cu-Zn-X(X＝Si,Al,Sn)

7)Fe-Pt約25at.％Pt

8)Mn-Cu 5/35at.％Cu

9)Fe-Mn-Si

10)Pt合金

11)Co-Ni-Al

12)Co-Ni-Ga

13)Ni-Fe-Ga

14)Ti-Pd(各種含量)

15)Ni-Ti(～55％Ni)

(at.％為原子百分比，wt.％為重量百分比)

SMP的示例包括但不限于以下材料：

1)具有離子或液晶/介晶組分的基于聚氨酯的形狀記憶聚合物