[發明專利]增強相變存儲器單元中的成核

有效

• 申請號: 201580043320.8
• 申請日: 2015-07-02
• 公開（公告）號: CN107077888B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 阿戈斯蒂諾·皮羅瓦諾;法比歐·佩里茲;安娜·馬里亞·孔蒂;達維德·富加扎;約翰尼斯·A·卡爾布
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種對存儲器陣列內的多個相變存儲器PCM單元進行編程的方法，所述方法包括：

將成核信號施加到所述多個PCM單元，從而導致成核位點在所述存儲器陣列內形成，其中所述成核信號包括初始斜升信號，所述成核位點是所述多個PCM單元內的PCM材料的分子的預結構排序，所述預結構排序在所述分子被置于隨后結晶生長階段中之前發生，所述PCM材料內的所述分子的所述預結構排序允許所述PCM材料在所述隨后結晶生長階段期間更快地相變為各種水平的結晶度；以及

在隨后施加編程信號以在所述多個PCM單元中的選定單元內實現所需的結晶度水平之前等待一非零時間段，隨后施加的所述編程信號具有比所述成核信號更大的幅值。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述成核信號具有長于大約10納秒的非零上升緣。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述成核信號及所述編程信號是單獨信號。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述成核信號的施加與所述編程信號的施加之間添加時間段，所述編程信號是與所述成核信號相分離的信號。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述成核信號的所述非零上升緣是步進式增量信號。

6.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括選擇所述成核信號的所述非零上升緣的斜升周期。

7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括至少部分基于針對所述多個PCM單元所選擇的合金的類型來選擇近似成核溫度。

8.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

選擇所述成核信號以施加到所述存儲器陣列中的所述多個PCM單元。

9.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括確定將所述成核信號施加到所述多個PCM單元的時間段，所述成核信號具有長于大約10納秒的非零上升緣。

10.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括確定在施加具有非零上升緣的所述成核信號與施加SET編程信號之間的時間段，所述編程信號是與所述成核信號相分離的信號。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述PCM單元在施加所述成核信號之前處于RESET狀態。

12.一種用于對存儲器陣列內的多個相變存儲器PCM單元進行編程的設備，所述設備包括至少一個信號產生器，所述至少一個信號產生器經配置以將成核信號施加到所述PCM單元，從而導致成核位點在所述存儲器陣列內形成，其中所述成核信號包括初始斜升信號，所述成核位點是所述PCM單元內的PCM材料的分子的預結構排序，所述預結構排序在所述分子被置于隨后結晶生長階段中之前發生，所述PCM材料內的所述分子的所述預結構排序允許所述PCM材料在所述隨后結晶生長階段期間更快地相變為各種水平的結晶度，所述至少一個信號產生器進一步經配置以施加編程信號以在所述多個所述PCM單元中的選定單元內實現所需的結晶度水平，隨后施加的所述編程信號經配置以具有比所述成核信號更大的幅值，所述編程信號在所述成核信號后的一非零時間段之后施加。

13.根據權利要求12所述的設備，其中所述至少一個信號產生器包括成核信號產生器以產生所述成核信號，所述成核信號具有長于大約10納秒的非零上升緣。

14.根據權利要求12所述的設備，其中所述至少一個信號產生器包括編程信號產生器以產生在施加所述成核信號之后施加的所述編程信號，所述編程信號是與所述成核信號相分離的信號。

15.根據權利要求12所述的設備，其中所述至少一個信號產生器進一步用于產生所述成核信號的非零上升緣作為步進式增量信號。