[發明專利]使用比例式熱流體輸送系統的基板載具有效
| 申請號: | 201580042920.2 | 申請日: | 2015-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN106663648B | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | P·克里米諾兒;J·斐;D·A·馬洛爾;S·F·秀吉;B·L·梅斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 比例式 流體 輸送 系統 基板載具 | ||
1.一種裝置,包括:
熱交換器,用以向基板載具的流體通道提供熱流體并且接收來自所述流體通道的所述熱流體,所述流體通道中的所述熱流體用以在基板處理期間控制所述基板載具的溫度;
比例閥,用以控制從所述熱交換器至所述流體通道的所述熱流體的流速,其中所述比例閥包括壓力調節閥,其中所述比例閥包括具有上部腔室和下部腔室的閥主體,其中所述上部腔室中的上部隔膜耦接至所述下部腔室中的下部隔膜,其中所述下部腔室接收來自三向閥的所述熱流體;以及
溫度控制器,用以接收來自所述基板載具的熱傳感器的測得溫度,且響應于所述測得溫度而控制所述比例閥以調整所述流速,其中所述溫度控制器生成模擬電壓作為至壓力調節器的信號以向所述壓力調節閥提供經調節的壓力,其中所述比例閥是流量控制閥,所述流量控制閥具有依據所述經調節的壓力而打開或關閉一定量的通路。
2.如權利要求1所述的裝置,其中所述溫度控制器向所述壓力調節器提供模擬電壓信號,且其中所述壓力調節器響應于所述模擬電壓信號而向所述壓力調節閥提供流體壓力以控制所述壓力調節閥。
3.如權利要求2所述的裝置,其中所述模擬電壓是無級的,且其中所述流體壓力是無級的。
4.如權利要求2所述的裝置,其中提供至所述壓力調節閥的所述流體壓力由壓縮干燥空氣供應。
5.如權利要求1所述的裝置,進一步包括壓力傳感器和流量計,所述流量計耦接至所述流體通道,且其中所述溫度控制器響應于所述壓力傳感器和所述流體通道而控制所述比例閥。
6.如權利要求1所述的裝置,其中所述壓力調節器包括壓縮干燥空氣入口和耦接至所述比例閥的壓縮干燥空氣出口,所述壓力調節器進一步在所述壓縮干燥空氣入口與所述壓縮干燥空氣出口之間包括電磁閥,以在所述壓縮干燥空氣出口處調節所述壓縮干燥空氣的壓力。
7.如權利要求1所述的裝置,進一步包括第二熱交換器以向所述流體通道提供第二熱流體,且包括閥以確定是所述熱交換器流體或是所述第二熱交換器流體流向所述比例閥。
8.如權利要求7所述的裝置,其中所述熱交換器提供冷的熱流體,且所述第二熱交換器提供熱的熱流體。
9.如權利要求8所述的裝置,其中所述冷的熱流體與所述熱的熱流體包括聚醚。
10.如權利要求1所述的裝置,其中所述基板載具包括多個不同的獨立冷卻通道以承載所述熱流體,從而傳遞來自所述基板載具的熱,每一流體通道包括相應的供應部和回流部,且其中所述比例閥控制進入每一供應部的熱流體的流速。
11.一種工件處理系統,包括:
等離子體腔室;
等離子體源,用以在所述等離子體腔室中產生包含氣體離子的等離子體;
工件固持件,位于所述腔室中以在等離子體處理期間固持工件并控制所述工件的溫度,所述工件固持件具有流體通道和溫度傳感器;
熱交換器,用以向所述工件固持件的所述流體通道提供熱流體,且用以接收來自所述流體通道的所述熱流體,所述流體通道中的所述熱流體用以在基板處理期間控制所述工件固持件的溫度;
比例閥,用以控制從所述熱交換器至所述流體通道的所述熱流體的流速,其中所述比例閥包括壓力調節閥,其中所述比例閥包括具有上部腔室和下部腔室的閥主體,其中所述上部腔室中的上部隔膜耦接至所述下部腔室中的下部隔膜,其中所述下部腔室接收來自三向閥的所述熱流體;以及
溫度控制器,用以接收來自所述工件固持件的熱傳感器的測得溫度,且響應于所述測得溫度而控制所述比例閥以調整所述流速,其中所述溫度控制器生成模擬電壓作為至壓力調節器的信號以向所述壓力調節閥提供經調節的壓力,其中所述比例閥是流量控制閥,所述流量控制閥具有依據所述經調節的壓力而打開或關閉一定量的通路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





