[發明專利]高性能選擇性發射極元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201580042525.4
• 申請日: 2015-04-16
• 公開（公告）號: CN106663713B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 金俊東
• 申請（專利權）人: 仁川大學校產學協力團
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 呂琳,楊生平

1.一種選擇性發射極元件，其特征在于，包括：

半導體基板；

發射極層，包括位于上述半導體基板上方并具有一定的周期的第1區域和位于上述第1區域之間的第2區域，其中上述第1區域的上表面的高度大于或等于第2區域的上表面的高度；以及

透明導電層，形成于上述發射極層上方,

上述發射極層摻雜濃度從上述發射極層表面向深度方向逐漸地連續減小。

2.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述第1區域的摻雜濃度大于或等于上述第2區域的摻雜濃度。

3.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述第1區域的上表面的摻雜濃度等于上述第2區域的表面的摻雜濃度。

4.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述第1區域采取向上凸起的形狀。

5.根據權利要求4所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述第1區域包括與上述半導體基板的上表面呈銳角的傾斜部。

6.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述透明導電層的圖案包括銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、氧化錫、氧化銦、Pt、Au或銦鋅氧化物中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于，還包括：

正面電極，位于上述透明導電層的上方并包括第1導電體；以及背面電極，位于上述半導體基板的下方并包括第2導電體。

8.根據權利要求7所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述正面電極包括Al、W、Co、Ni、Cu、Ru、Pd、Ag、Pt、Au、In、Sn、CoW、CoWP以及NiB中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述半導體基板包括Si、Ge或GaAs中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于，還包括：

第1反射防止層，位于上述發射極層和上述透明導電層之間，用于減少入射光的反射。

11.根據權利要求1所述的選擇性發射極元件，其特征在于，還包括：

第2反射防止層，位于上述透明導電層的上方，用于減少入射光的反射。

12.根據權利要求10或權利要求11所述的選擇性發射極元件，其特征在于：

上述第1或第2反射防止層包括SiN_X或TiO_X中的至少一種，

其中，x為自然數。

13.一種選擇性發射極元件的制造方法，其特征在于，包括：

在半導體基板的上方形成以特定周期反復的虛擬圖案的步驟；

在上述半導體基板以及上述虛擬圖案上方形成遮罩的步驟；

通過移除上述虛擬圖案以及上述虛擬圖案上方的遮罩使上述半導體基板中的一部分裸露的步驟；

對裸露的上述半導體基板進行蝕刻的步驟；

在蝕刻后的上述半導體基板上方形成透明導電層的步驟；以及

在形成上述虛擬圖案的步驟之前或在上述半導體基板進行蝕刻的步驟之后，以摻雜濃度從表面向深度方向逐漸地連續減小的方式對上述半導體基板的摻雜進行調整的步驟。

14.根據權利要求13所述的選擇性發射極元件的制造方法，其特征在于：

上述蝕刻包括濕法蝕刻。