[發(fā)明專利]光電變換裝置以及光電變換模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580042051.3
• 申請日: 2015-09-18
• 公開（公告）號: CN106663705B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 二宮壽一;久保新太郎;仲山徹
• 申請（專利權(quán)）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;B82Y20/00;H01L31/0224;H01L31/0236
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 樸英淑

1.一種光電變換裝置，其特征在于，具備：

量子點(diǎn)集聚部，具有多個(gè)量子點(diǎn)；

基部層，被配置在該量子點(diǎn)集聚部的表面并具有集電性；以及

多個(gè)載流子收集部，從該基部層延伸到所述量子點(diǎn)集聚部內(nèi)，具有開放端，并呈柱狀，

所述載流子收集部包括開放端部和該開放端部以外的主體部，且以金屬氧化物為主體，

在所述開放端部中，氧相對于金屬的摩爾比高于所述主體部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述金屬氧化物為氧化鋅或氧化鈦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述主體部中的所述金屬氧化物的氧/金屬的摩爾比小于1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述載流子收集部作為副成分包含選自Li、Na、K、Ga、B以及Al的組的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述副成分的含量為1～5原子％。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述副成分分散在所述開放端部以及所述主體部。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述副成分分散在所述開放端部以及所述主體部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述多個(gè)載流子收集部中的一部分為扁平狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述扁平狀的載流子收集部的橫截面的長寬比為2以上。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電變換裝置，其特征在于，

在所述扁平狀的載流子收集部中，開放端側(cè)的寬度比所述基部層側(cè)的根部的寬度寬。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電變換裝置，其特征在于，

在所述扁平狀的載流子收集部中，開放端側(cè)的寬度比所述基部層側(cè)的根部的寬度寬。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述多個(gè)載流子收集部包括延伸方向不同的載流子收集部，該延伸方向不同的載流子收集部彼此的一部分接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述量子點(diǎn)具有n型的量子點(diǎn)和p型的量子點(diǎn)，在所述載流子收集部的周圍配置有所述n型的量子點(diǎn)，在該n型的量子點(diǎn)的外側(cè)配置有所述p型的量子點(diǎn)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的光電變換裝置，其特征在于，

所述光電變換裝置是層疊多個(gè)具備所述量子點(diǎn)集聚部、所述基部層以及所述載流子收集部的光電變換層而構(gòu)成的。

15.一種光電變換模塊，其特征在于，

具有多個(gè)權(quán)利要求1至14中的任一項(xiàng)所述的光電變換裝置，是通過連接導(dǎo)體來將相鄰的所述光電變換裝置彼此電連接而成的。