[發(fā)明專利]傳感裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580041838.8
• 申請(qǐng)日: 2015-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106662477B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中野洋;松本昌大;柳川善光;小野瀬保夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立汽車系統(tǒng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G01F1/692
• 分類號(hào): G01F1/692
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;牛孝靈

1.一種傳感裝置，包括形成在Si基板上的空腔部、將所述空腔部覆蓋的絕緣膜和形成于所述絕緣膜的加熱部，其特征在于：

包括檢測(cè)所述空腔部上的絕緣膜的溫度的檢測(cè)元件，

所述檢測(cè)元件利用電阻值隨溫度變化來(lái)檢測(cè)溫度，至少包括第一多晶硅元件和第二多晶硅元件，

所述第一多晶硅元件和所述第二多晶硅元件使用不同種類的雜質(zhì)進(jìn)行了摻雜，使得所述第一多晶硅元件的因應(yīng)變而引起的電阻值變化與所述第二多晶硅元件的因應(yīng)變而引起的電阻值變化的增減方向不同。

2.如權(quán)利要求1所述的傳感裝置，其特征在于：

所述第一多晶硅元件為P型半導(dǎo)體，所述第二多晶硅為N型半導(dǎo)體。

3.如權(quán)利要求1或2所述的傳感裝置，其特征在于：

所述第一多晶硅元件隔著電絕緣膜配置在所述第二多晶硅元件的上側(cè)或者下側(cè)。

4.如權(quán)利要求1所述的傳感裝置，其特征在于：

所述第一多晶硅元件是摻雜了硼的P型多晶硅元件，所述第二多晶硅元件是摻雜了磷的N型多晶硅元件，

所述N型多晶硅元件隔著電絕緣膜配置在所述P型多晶硅之上，

所述P型多晶硅元件的線寬大于所述N型多晶硅元件的線寬。

5.一種傳感裝置，包括形成在Si基板上的空腔部、將所述空腔部覆蓋的絕緣膜和形成于所述絕緣膜的加熱部，其特征在于：

包括檢測(cè)所述空腔部上的絕緣膜的溫度的檢測(cè)元件，

所述檢測(cè)元件利用電阻值隨溫度變化來(lái)檢測(cè)溫度，至少包括第一單晶硅元件和第二單晶硅元件，

所述第一單晶硅元件和所述第二單晶硅元件使用不同種類的雜質(zhì)進(jìn)行了摻雜，使得所述第一單晶硅元件的因應(yīng)變而引起的電阻值變化與所述第二單晶硅元件的因應(yīng)變而引起的電阻值變化的增減方向不同。

6.如權(quán)利要求5所述的傳感裝置，其特征在于：

所述第一單晶硅元件為P型半導(dǎo)體，所述第二單晶硅為N型半導(dǎo)體。

7.如權(quán)利要求5或6所述的傳感裝置，其特征在于：

所述第一單晶硅元件和所述第二單晶硅元件通過(guò)蝕刻同一層單晶硅膜而形成，所述第一單晶硅元件和所述第二單晶硅元件隔著絕緣膜相鄰地配置。