[發明專利]光學器件和光學器件的制造方法

在審

• 申請號: 201580041550.0
• 申請日: 2015-03-02
• 公開（公告）號: CN106662718A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 生駒晉也
• 申請（專利權）人: 株式會社藤倉
• 主分類號: G02B6/44
• 分類號: G02B6/44;G02B6/036
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 權太白,戚傳江

技術領域

本發明涉及光學器件，該光學器件具備形成有被覆去除區間的光纖和埋設有該被覆去除區間的樹脂部件。另外，涉及這種光學器件的制造方法。

背景技術

廣泛應用有雙包層或三重包層光纖等能夠將光束縛于包層中的光纖。在這種光纖中，在包層中傳播的不必要的光(以下，記載為“包層光”)成為使覆蓋包層的外側面的被覆發熱的原因。因此，在這種光纖中，需要在去除了被覆的被覆去除區間中使包層光從包層漏出。

在專利文獻1中公開有如下的光學器件，該光學器件具備形成有被覆(該文獻中的“預涂層”)去除區間的光纖和埋設有該被覆去除區間的樹脂部件。在記載于專利文獻1的光學器件中，通過使樹脂部件的折射率比包層的折射率高，從而在被覆去除區間中使包層光從包層漏出到樹脂部件。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本國公開特許公報“特開平1-316705號”(公開日：1989年12月21日)

發明內容

發明所要解決的課題

如記載于專利文獻1的光學器件那樣，在構成為將去除了覆蓋包層的外側面的被覆的被覆去除區間埋設于折射率比包層高的樹脂部件中時，在被覆去除區間的入射端產生包層光的集中漏出。因此，存在被覆去除區間的入射端附近的樹脂部件吸收包層光而成為高溫的問題。

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，在具備形成有被覆去除區間的光纖和埋設有該被覆去除區間的樹脂部件的光學器件中，實現樹脂部件比以往更難成為高溫的光學器件。

用于解決課題的手段

為了解決上述課題，本發明的光學器件的特征在于，具備：光纖，形成有被覆去除區間；以及樹脂部件，折射率比上述光纖的包層的折射率高，且埋設有上述光纖的上述被覆去除區間，上述被覆去除區間是以在各橫截面中僅使上述包層的外側面的一部分露出的方式，局部地去除了覆蓋該包層的外側面的被覆的區間。

另外，為了解決該課題，本發明的光纖的制造方法的特征在于，包括：形成工序，在光纖上形成被覆去除區間；以及埋設工序，將上述光纖的上述被覆去除區間埋設于折射率比上述光纖的包層的折射率高的樹脂部件，上述被覆去除區間是以在各橫截面中僅使上述包層的外側面的一部分露出的方式，局部地去除了覆蓋該包層的外側面的被覆的區間。

發明效果

根據本發明，能夠實現樹脂部件比以往更難成為高溫的光學器件。

附圖說明

圖1是用于說明本發明的一實施方式的光學器件的結構的圖。(a)是該光學器件的俯視圖，(b)是該光學器件的側視圖，(c)是該光學器件的AA’剖視圖，(d)是該光學器件1的BB’剖視圖。

圖2是用于說明圖1所示的光學器件中的被覆去除區間的形成方法的圖。(a)～(c)是其光纖的(縱)剖視圖。

圖3是通過圖2所示的方法形成了被覆去除區間的光纖的顯微鏡照片。

圖4是用于說明圖1所示的光學器件的效果的圖。是該光學器件的(橫)剖視圖。

圖5是在以往的光學器件中得到的、表示包層光量與樹脂溫度上升量之間的關系的圖表。

圖6是在圖1所示的光學器件中，使被覆去除區間的長度為1mm時得到的、表示包層光量與樹脂溫度上升量之間的關系的圖表。

圖7是在圖1所示的光學器件中，使被覆去除區間的長度為2mm時得到的、表示包層光量與樹脂溫度上升量之間的關系的圖表。

圖8是用于說明圖1所示的光學器件中的被覆去除區間的優選長度的圖。(a)～(b)是其光纖的(縱)剖視圖，(c)是表示樹脂部件的溫度分布的圖表。

圖9是用于說明圖1所示的光學器件中的被覆的切口的優選斜率的圖。是該光學器件的(縱)剖視圖。

圖10是用于說明圖1所示的光學器件的第1變形例的圖。(a)是該光學器件的俯視圖，(b)是該光學器件的側視圖，(c)是該光學器件的仰視圖。

圖11是用于說明圖1所示的光學器件的第2變形例的圖。(a)是該光學器件的俯視圖，(b)是該光學器件的側視圖，(c)是該光學器件的仰視圖。

具體實施方式

以下，根據附圖對本發明的光學器件的一實施方式進行說明。

〔光學器件的結構〕

首先，參照圖1對本實施方式的光學器件1的結構進行說明。在圖1中，(a)是光學器件1的俯視圖，(b)是光學器件1的側視圖，(c)是光學器件1的AA’剖視圖，(d)是光學器件1的BB’剖視圖(省略剖面線)。