[發明專利]液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201580041364.7
• 申請日: 2015-07-22
• 公開（公告）號: CN106662767B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 三宅敢;宮地弘一
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;C08G73/10;G02F1/13;G02F1/1337;G02F1/1368
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;池兵

1.一種橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述液晶顯示裝置具備：一對基板；設置在所述一對基板中的至少一個基板上的光取向膜；設置在所述一對基板之間的水平取向型的液晶層；和排列成矩陣狀的多個像素，

所述液晶層含有：具有雙環己烷骨架的液晶分子；和具有二氟苯骨架的液晶分子，

所述液晶層的介電常數各向異性為負，

所述一對基板中的一個基板包括與所述多個像素對應地設置的多個TFT元件，

所述多個TFT元件中的各個TFT元件具有包含氧化物半導體的半導體層，

所述液晶顯示裝置的幀頻小于50Hz，

所述光取向膜含有：光反應性聚合物；和由與所述光反應性聚合物的材料不同的材料形成的離子吸附聚合物，

所述光反應性聚合物為主鏈含有環丁烷骨架作為至少一個光敏官能團的聚酰胺酸和聚酰亞胺中的至少一者，

所述離子吸附聚合物為聯間甲苯胺與1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐反應而得到的聚酰胺酸和聚酰亞胺中的至少一者。

2.如權利要求1所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述液晶顯示裝置還具備具有LED元件的背光源。

3.如權利要求2所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述背光源的亮度可變。

4.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述液晶層通過將含有具有所述雙環己烷骨架的所述液晶分子和具有所述二氟苯骨架的所述液晶分子的液晶材料封入所述一對基板之間而形成，

所述液晶材料不含聚合性單體。

5.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述液晶層通過向被封入所述一對基板之間的液晶材料照射光而形成，

所述液晶材料含有：具有所述雙環己烷骨架的所述液晶分子；具有所述二氟苯骨架的所述液晶分子；和聚合性單體，

所述聚合性單體相對于所述液晶材料整體的濃度，在照射所述光之前，小于0.4質量％。

6.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述液晶顯示裝置還具備設置在所述一對基板之間，將所述液晶層包圍的密封件，

所述密封件的寬度大于0.1mm并且為0.3mm以下。

7.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述液晶層的預傾角實質上為0。

8.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述光敏官能團發生選自光異構化反應、光二聚化反應、光交聯反應、光分解反應和光弗利斯重排反應中的至少一種反應。

9.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述聚合物還含有選自肉桂酸酯骨架、查耳酮骨架、偶氮苯骨架、茋骨架、香豆素骨架和苯酯骨架中的至少一種骨架作為光敏官能團。

10.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述氧化物半導體為In-Ga-Zn-O類氧化物半導體。

11.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述橫向電場方式為IPS方式。

12.如權利要求1～3中任一項所述的橫向電場方式的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述橫向電場方式為FFS方式。