[發明專利]用于高溫處理的靜電夾盤組件有效
| 申請號: | 201580041355.8 | 申請日: | 2015-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN106663647B | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發明(設計)人: | V·D·帕科 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 高溫 處理 靜電 組件 | ||
1.一種靜電夾盤組件,包括:
定位盤,所述定位盤包括:
電性絕緣的上定位盤板,所述上定位盤板包括一個或更多個加熱元件以及一個或更多個電極,以用于靜電地固定基板;及
下定位盤板,所述下定位盤板通過金屬接合而接合至所述上定位盤板,所述下定位盤板包括多個特征,所述多個特征在距離所述下定位盤板的中心的多個不同的距離處分布在所述下定位盤板上,其中所述多個特征中的每一者容納多個緊固件中的一者;
冷卻板,所述冷卻板通過所述多個緊固件而耦接至所述下定位盤板;以及
O形環,所述O形環在所述冷卻板的外周界處設置在所述冷卻板的頂側上,其中所述多個緊固件各自施加相等的緊固力,以將所述冷卻板耦接至所述下定位盤板、壓縮所述O形環以及維持所述冷卻板與所述下定位盤板之間的相等的間隔,并且促進所述冷卻板與所述下定位盤板之間的均勻熱轉移,其中所述冷卻板與所述下定位盤板之間的所述間隔為2-40密爾。
2.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,進一步包括:
PFP墊圈,所述PFP墊圈設置于所述冷卻板的至少一部分的頂側上,其中所述PFP墊圈用作所述冷卻板與所述下定位盤板之間的熱扼流器。
3.如權利要求2所述的靜電夾盤組件,其中所述PFP墊圈硫化至所述冷卻板的所述至少一部分的所述頂側。
4.如權利要求2所述的靜電夾盤組件,進一步包括:
柔性石墨層,所述石墨層在所述PFP墊圈上。
5.如權利要求2所述的靜電夾盤組件,其中所述冷卻板包括:
基座部分;及
彈簧裝載的熱沉,所述熱沉通過多個彈簧而連接至所述基座部分,其中所述PFP墊圈設置于所述熱沉上,且其中所述多個彈簧施加力以將所述熱沉壓靠所述定位盤。
6.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,其中所述多個緊固件包括多個螺紋緊固件,且所述多個特征包括多個開孔,所述多個開孔用于接收所述多個螺紋緊固件。
7.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,其中所述一個或更多個加熱元件將所述基板加熱至超過180℃的溫度,其中當所述基板加熱至超過180℃的所述溫度時,所述冷卻板維持在低于120℃的溫度,且其中所述定位盤與所述冷卻板之間的界面用作所述定位盤與所述冷卻板之間的熱扼流器。
8.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,其中所述多個特征均勻地分布在所述下定位盤板上。
9.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,其中所述多個特征間隔開30-70平方厘米。
10.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,其中所述上定位盤板包括AlN,且所述下定位盤板包括下述各項中的一者:a)鉬或b)滲透有AlSi合金的SiC多孔主體。
11.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,其中所述上定位盤板包括Al2O3,且所述下定位盤板包括Al2O3。
12.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,其中所述上定位盤板包括AlN,且所述下定位盤板包括AlN。
13.如權利要求1所述的靜電夾盤組件,進一步包括:
在所述下定位盤板中的導電路徑,所述導電路徑包括填充有導電材料的孔;及
在所述下定位盤板與所述冷卻板之間的導電墊圈,其中所述導電墊圈接觸所述導電路徑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580041355.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





