[發明專利]用于表征閃爍體材料的表征裝置

有效

• 申請號: 201580040855.X
• 申請日: 2015-07-10
• 公開（公告）號: CN107209275B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: H·K·維喬雷克;C·R·龍達;H-A·維施曼;P·G·巴拉諾夫;G·阿薩特里安;D·O·托爾馬切夫
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司;約費物理技術研究所
• 主分類號: G01T1/202
• 分類號: G01T1/202
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 孟杰雄;王英

1.一種用于表征閃爍體材料(3)的表征裝置，所述表征裝置(1)包括：

-第一輻射源(2)，其用于利用具有小于450nm的波長的第一輻射(4)來輻照所述閃爍體材料(3)，

-第二輻射源(5)，其用于在已經利用所述第一輻射(4)輻照了所述閃爍體材料(3)之后，利用具有大于600nm的波長并且具有等于或小于50s的脈沖持續時間的脈沖第二輻射(6)來輻照所述閃爍體材料(3)，

-探測設備(9)，其用于在由所述第二輻射(6)進行的所述輻照期間和/或之后探測來自所述閃爍體材料(3)的第三輻射(12)，以便允許基于探測到的第三輻射(12)對所述閃爍體材料(3)的表征，所述第三輻射能用作針對捕獲電荷載體的阱的量的指示物。

2.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，所述第一輻射源(2)適于利用電離輻射來輻照所述閃爍體材料(3)。

3.根據權利要求2所述的表征裝置，其中，所述第一輻射源(2)適于利用X射線和/或紫外輻射和/或伽馬射線作為所述第一輻射(4)來輻照所述閃爍體材料(3)。

4.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，所述第一輻射源(2)適于利用非電離UV輻射或具有小于450nm的波長的可見輻射來輻照所述閃爍體材料(3)。

5.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，所述第二輻射源(5)適于在已經利用所述第一輻射(4)輻照了所述閃爍體材料(3)之后，首先利用具有大于600nm的第一波長的第二輻射來輻照所述閃爍體材料(3)，并且然后利用具有第二波長的第二輻射來輻照所述閃爍體材料(3)，其中，所述第二波長小于所述第一波長。

6.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，所述探測設備(9)適于取決于所述探測到的第三輻射(12)來生成探測信號，其中，所述表征裝置(1)還包括用于對所述探測信號進行積分的計算單元(10)，以便允許基于經積分的探測信號對所述閃爍體材料(3)的表征。

7.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，當利用電離輻射被輻照時，所述閃爍體材料(3)生成具有發光波長的發光，其中，所述探測設備(9)適于探測具有所述發光波長的輻射。

8.根據權利要求7所述的表征裝置，其中，所述探測設備(9)包括波長濾波器(7)和光電探測器(8)，所述波長濾波器適于允許具有所述發光波長的光(12)通過所述波長濾波器(7)，所述光電探測器(8)用于探測經濾波的光。

9.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，所述表征裝置(1)適于使得在利用所述第一輻射(4)對所述閃爍體材料(3)的所述輻照的結束與利用所述第二輻射(6)對所述閃爍體材料(3)的所述輻照的開始之間的時間距離等于或小于500s。

10.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，所述表征裝置(1)適于表征正電子發射斷層攝影閃爍體材料(3)、單光子發射計算機斷層攝影閃爍體材料(3)和/或計算機斷層攝影閃爍體材料(3)。

11.根據權利要求1所述的表征裝置，其中，所述表征裝置(1)適于表征包括以下的閃爍體材料(3)：鍺酸鉍、和/或鎢酸鎘、和/或硅酸镥、和/或由百分之十的釔代替镥的改變的硅酸镥以及基于釓的石榴石。